О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
TO-220TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2SOP-8TO-220F-3SOT-23TO-247TO-251SOIC-8SOT-23-3LDFN-8(4.9x5.8)TO-252TO-263TOLLDFN-8L(5x6)TO-247-3SOT-23-6TO-3P-3DFN-8L(3.3x3.3)SOT-23-6LSOT-89-3TO-220FTO-247PTO-252-2LTO-252-4DFN-8(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)SOT-223TO-247AC-3TO-251(IPAK)DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3x3)DFN-8L(3x3)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOP-8-4.0mmSOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-89-3LTO-220-3TO-220-3LTO-247-3LTO-263-3TO-263-7LTO-92-2.5mmTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE65TF130

NCE65TF130-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF130
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 28A мощность (Pd)  260W канал N сопротивление в открытом состоянии 110mΩ@10V,14A корпус  TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF130
  • PDF NCE65TF130.pdf
Консультация
NCE6005AN

NCE6005AN-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6005AN
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 5A мощность (Pd)  2W канал N сопротивление в открытом состоянии 26mΩ@10V,5A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6005AN
  • PDF NCE6005AN.pdf
Консультация
NCE0224

NCE0224-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0224
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение 3.2V@250uA ток 24A мощность (Pd)  150W канал N сопротивление в открытом состоянии 64mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0224
  • PDF NCE0224.pdf
Консультация
NCE3420

NCE3420-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3420
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 1V@250uA ток 6A мощность (Pd)  1.25W канал N сопротивление в открытом состоянии 28mΩ@4.5V,5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3420
  • PDF NCE3420.pdf
Консультация
NCE2305A

NCE2305A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2305A
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 12V пороговое напряжение 700mV@250uA ток 4.1A мощность (Pd)  1.7W канал P сопротивление в открытом состоянии 30mΩ@4.5V,4.1A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2305A
  • PDF NCE2305A.pdf
Консультация
NCE2304

NCE2304-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2304
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 3.6A мощность (Pd)  1.7W канал N сопротивление в открытом состоянии 58mΩ@10A,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2304
  • PDF NCE2304.pdf
Консультация
NCE5080K

NCE5080K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE5080K
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 80A мощность (Pd)  100W канал N сопротивление в открытом состоянии 7.5mΩ@10V,20A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE5080K
  • PDF NCE5080K.pdf
Консультация
NCEP1545G

NCEP1545G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP1545G
  • КорпусPDFN-8(5x5)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение - ток 45A мощность (Pd)  110W канал N сопротивление в открытом состоянии 24mΩ (typical) @ VGS=10V корпус PDFN-8(5x5) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP1545G
  • PDF NCEP1545G.pdf
Консультация
NCE3404Y

NCE3404Y-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3404Y
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 5.8A мощность (Pd)  1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии 23mΩ@10V,5A корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3404Y
  • PDF NCE3404Y.pdf
Консультация
NCEP023N10T

NCEP023N10T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP023N10T
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 3V@250uA ток 280A мощность (Pd)  365W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.85mΩ@10V,140A корпус TO-247-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP023N10T
  • PDF NCEP023N10T.pdf
Консультация
NCE65T680K

NCE65T680K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T680K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 7A мощность (Pd)  60W канал N сопротивление в открытом состоянии 680mΩ@10V,3.5A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T680K
  • PDF NCE65T680K.pdf
Консультация
NCE3095G

NCE3095G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3095G
  • КорпусDFN-8(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток 95A мощность (Pd)  80W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.1mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3095G
  • PDF NCE3095G.pdf
Консультация
NCE65T360F

NCE65T360F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T360F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 11.5A мощность (Pd)  32.6W канал N сопротивление в открытом состоянии 360mΩ@10V,7A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T360F
  • PDF NCE65T360F.pdf
Консультация
NCE2333Y

NCE2333Y-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2333Y
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 12V пороговое напряжение 1V@250uA ток 6A мощность (Pd)  1.8W канал P сопротивление в открытом состоянии 30mΩ@4.5V,6A корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2333Y
  • PDF NCE2333Y.pdf
Консультация
NCEP0140AG

NCEP0140AG-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP0140AG
  • КорпусPDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 40A мощность (Pd)  50W канал N сопротивление в открытом состоянии 18mΩ (typical) @ VGS=10V корпус PDFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP0140AG
  • PDF NCEP0140AG.pdf
Консультация
NCE30P28Q

NCE30P28Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30P28Q
  • КорпусPDFN-8(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение -30V пороговое напряжение - ток -28A мощность (Pd)  40W канал P сопротивление в открытом состоянии 9mΩ @ VGS=-10V корпус PDFN-8(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30P28Q
  • PDF NCE30P28Q.pdf
Консультация
NCEP1520

NCEP1520-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP1520
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 150V пороговое напряжение 3.3V@250uA ток 20A мощность (Pd)  68W канал N сопротивление в открытом состоянии 59mΩ@10V,10A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP1520
  • PDF NCEP1520.pdf
Консультация
NCEP3065QU

NCEP3065QU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP3065QU
  • КорпусDFN-8(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 65A мощность (Pd)  55W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.9mΩ@10V,20A корпус DFN-8(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP3065QU
  • PDF NCEP3065QU.pdf
Консультация
NCE0110AK

NCE0110AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0110AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 10A мощность (Pd)  40W канал N сопротивление в открытом состоянии 130mΩ @ VGS=10V корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0110AK
  • PDF NCE0110AK.pdf
Консультация
NCE3035Q

NCE3035Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3035Q
  • КорпусDFN-8(3x3)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 35A мощность (Pd)  35W канал N сопротивление в открытом состоянии 7mΩ@10V,12A корпус DFN-8(3x3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3035Q
  • PDF NCE3035Q.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1... 4567891011...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd