О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > IGBT-транзистор /модуль
Бренд：
NCECR Huajing
Мультивыбор
Корпус：
TO-247TO-247-3TO-220TO-3P-3TO-220F-3TO-247PTO-263-2TO-3PNTO-247AC-3TO-220AB-3TO-251TO-252TO-252-2TO-263-3
Мультивыбор
BT60T60ANFK

BT60T60ANFK-华润华晶

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельBT60T60ANFK
  • КорпусTO-3PN
  • Производитель华润华晶
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 60A ток - коллектор импульс (Icm) 180A мощность 403W заряд затвора 117nC время обратного восстановления (trr) 80ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) TYP=1.85V @IC=60A,VGE=15V корпус TO-3PN IGBT-транзистор /модуль бренд CR Huajing артикул BT60T60ANFK
  • PDF BT60T60ANFK.pdf
Консультация
BT50T60ANFK

BT50T60ANFK-华润华晶

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельBT50T60ANFK
  • КорпусTO-3PN
  • Производитель华润华晶
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 50A ток - коллектор импульс (Icm) 180A мощность 416W заряд затвора 303nC время обратного восстановления (trr) 80ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) TYP=1.8V @IC=50A,VGE=15V корпус TO-3PN IGBT-транзистор /модуль бренд CR Huajing артикул BT50T60ANFK
  • PDF BT50T60ANFK.pdf
Консультация
BT25T120CKR

BT25T120CKR-华润华晶

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельBT25T120CKR
  • КорпусTO-247-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 1200V ток - коллектор (Ic) 25A ток - коллектор импульс (Icm) 75A мощность 208W заряд затвора 142nC время обратного восстановления (trr) - различные  Vge, Ic час  Vce(on) typ =1.95V@ IC =25A корпус TO-247-3 IGBT-транзистор /модуль бренд CR Huajing артикул BT25T120CKR
  • PDF BT25T120CKR.pdf
Консультация
BT40T120CKFH

BT40T120CKFH-华润华晶

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельBT40T120CKFH
  • КорпусTO-247-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 1200V ток - коллектор (Ic) 40A ток - коллектор импульс (Icm) 160A мощность 278W заряд затвора 239nC время обратного восстановления (trr) 80ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247-3 IGBT-транзистор /модуль бренд CR Huajing артикул BT40T120CKFH
  • PDF BT40T120CKFH.pdf
Консультация
BT15T60A9F

BT15T60A9F-华润华晶

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельBT15T60A9F
  • КорпусTO-220F-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 15A ток - коллектор импульс (Icm) 45A мощность 278W заряд затвора 59nC время обратного восстановления (trr) 47ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-220F-3 IGBT-транзистор /модуль бренд CR Huajing артикул BT15T60A9F
  • PDF BT15T60A9F.pdf
Консультация
BT15T60A8F

BT15T60A8F-华润华晶

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельBT15T60A8F
  • КорпусTO-220AB-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 15A ток - коллектор импульс (Icm) 45A мощность 278W заряд затвора 59nC время обратного восстановления (trr) 47ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-220AB-3 IGBT-транзистор /модуль бренд CR Huajing артикул BT15T60A8F
  • PDF BT15T60A8F.pdf
Консультация
BT15T120CNR

BT15T120CNR-华润华晶

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельBT15T120CNR
  • КорпусTO-3PN
  • Производитель华润华晶
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 1200V ток - коллектор (Ic) 15A ток - коллектор импульс (Icm) 45A мощность 156W заряд затвора 81.5nC время обратного восстановления (trr) - различные  Vge, Ic час  Vce(on) typ =1.95V@ IC =15A корпус TO-3PN IGBT-транзистор /модуль бренд CR Huajing артикул BT15T120CNR
  • PDF BT15T120CNR.pdf
Консультация
NCE10TD60BK

NCE10TD60BK-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE10TD60BK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 600V ток - коллектор (Ic) 20A ток - коллектор импульс (Icm) 30A мощность 83W заряд затвора 10nC время обратного восстановления (trr) 158ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-252-2 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE10TD60BK
  • PDF NCE10TD60BK.pdf
Консультация
NCE40TD120BT

NCE40TD120BT-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE40TD120BT
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 1200V ток - коллектор (Ic) 80A ток - коллектор импульс (Icm) 120A мощность 468W заряд затвора 298nC время обратного восстановления (trr) 180ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE40TD120BT
  • PDF NCE40TD120BT.pdf
Консультация
NCE60TD65BT

NCE60TD65BT-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE60TD65BT
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описаниенапряжение - пробой коллектор-эмиттер 650V ток - коллектор (Ic) 120A ток - коллектор импульс (Icm) 240A мощность 319W заряд затвора 262nC время обратного восстановления (trr) 458ns различные  Vge, Ic час  Vce(on) - корпус TO-247 IGBT-транзистор /модуль бренд  NCE артикул NCE60TD65BT
  • PDF NCE60TD65BT.pdf
Консультация
Всего записей: 49«Предыдущая12345Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd