О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP6050AQU

NCEP6050AQU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP6050AQU
  • КорпусDFN-8L(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение - ток 50A мощность (Pd)  60W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ (typical) @VGS=10V корпус DFN-8L(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP6050AQU
  • PDF NCEP6050AQU.pdf
Консультация
NCE30D2519K

NCE30D2519K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30D2519K
  • КорпусTO-252-4
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2V@250uA ток N,25A-P,-19A мощность (Pd)  21W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии 8.5mΩ@10V,7A корпус TO-252-4 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30D2519K
  • PDF NCE30D2519K.pdf
Консультация
NCE4012S

NCE4012S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4012S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 12A мощность (Pd)  3W канал N сопротивление в открытом состоянии 12mΩ@10V,10A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4012S
  • PDF NCE4012S.pdf
Консультация
NCE65T180T

NCE65T180T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T180T
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 21A мощность (Pd)  188W канал N сопротивление в открытом состоянии 150mΩ@10V,10.5A корпус TO-247-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T180T
  • PDF NCE65T180T.pdf
Консультация
NCE3008M

NCE3008M-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3008M
  • КорпусSOT-89-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 8A мощность (Pd)  3.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 19.8mΩ@10V,8A корпус SOT-89-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3008M
  • PDF NCE3008M.pdf
Консультация
NCE3090K

NCE3090K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3090K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 90A мощность (Pd)  105W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.8mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3090K
  • PDF NCE3090K.pdf
Консультация
NCE0202M

NCE0202M-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0202M
  • КорпусSOT-89-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение 1.8V@250uA ток 2A мощность (Pd)  1.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 520mΩ@10V,2A корпус SOT-89-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0202M
  • PDF NCE0202M.pdf
Консультация
NCE65TF130F

NCE65TF130F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF130F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 28A мощность (Pd)  35W канал N сопротивление в открытом состоянии 130mΩ@10V,14A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF130F
  • PDF NCE65TF130F.pdf
Консультация
NCEP040N10D

NCEP040N10D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP040N10D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 3V@250uA ток 130A мощность (Pd)  210W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.55mΩ@10V65A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP040N10D
  • PDF NCEP040N10D.pdf
Консультация
NCE0140K2

NCE0140K2-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0140K2
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 3V@250uA ток 40A мощность (Pd)  140W канал N сопротивление в открытом состоянии 14.5mΩ@10V,28A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0140K2
  • PDF NCE0140K2.pdf
Консультация
NCE60P09S

NCE60P09S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P09S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение -60V пороговое напряжение - ток -9A мощность (Pd)  3W канал P сопротивление в открытом состоянии 38mΩ @ VGS=-10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P09S
  • PDF NCE60P09S.pdf
Консультация
NCE9926

NCE9926-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE9926
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 1.2V@250uA ток 6A мощность (Pd)  1.25W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии 28mΩ@4.5V,6A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE9926
  • PDF NCE9926.pdf
Консультация
NCE6045G

NCE6045G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6045G
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение - ток 45A мощность (Pd)  60W канал N сопротивление в открытом состоянии 13mΩ @ VGS=10V корпус DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6045G
  • PDF NCE6045G.pdf
Консультация
NCEP15T14

NCEP15T14-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP15T14
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение 4V@250uA ток 140A мощность (Pd)  320W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.2mΩ@10V,70A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP15T14
  • PDF NCEP15T14.pdf
Консультация
NCE6012AS

NCE6012AS-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6012AS
  • КорпусSOP-8-4.0mm
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 1.8V@250uA ток 12A мощность (Pd)  3W канал N сопротивление в открытом состоянии 11mΩ@10V,12A корпус SOP-8-4.0mm MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6012AS
  • PDF NCE6012AS.pdf
Консультация
NCEP039N10D

NCEP039N10D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP039N10D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 135A мощность (Pd)  220W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.5mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP039N10D
  • PDF NCEP039N10D.pdf
Консультация
NCE20P70G

NCE20P70G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE20P70G
  • КорпусPDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 600mV@250uA ток 70A мощность (Pd)  130W канал P сопротивление в открытом состоянии 2.3mΩ@4.5V,20A корпус PDFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE20P70G
  • PDF NCE20P70G.pdf
Консультация
NCE60P12AS

NCE60P12AS-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P12AS
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение -60V пороговое напряжение - ток -12A мощность (Pd)  3.5W канал P сопротивление в открытом состоянии 14mΩ @ VGS=-10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P12AS
  • PDF NCE60P12AS.pdf
Консультация
NCE3080KA

NCE3080KA-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3080KA
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.4V@250uA ток 80A мощность (Pd)  83W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ@10V,30A корпус  TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3080KA
  • PDF NCE3080KA.pdf
Консультация
NCE6003XY

NCE6003XY-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6003XY
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение - ток 3A мощность (Pd)  1.7W канал N сопротивление в открытом состоянии 90mΩ @ VGS=10V корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6003XY
  • PDF NCE6003XY.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая12345678910...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd