О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE2301

NCE2301-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2301
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение 1V@250uA ток 3A мощность (Pd)  1W канал Pсопротивление в открытом состоянии 110mΩ@4.5V,3A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2301
  • PDF NCE2301.pdf
Консультация
NCE65T540K

NCE65T540K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T540K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 8A мощность (Pd)  69W канал Nсопротивление в открытом состоянии 540mΩ@10V,4A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T540K
  • PDF NCE65T540K.pdf
Консультация
NCE3415

NCE3415-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3415
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 20V пороговое напряжение 900mV@250uA ток 4A мощность (Pd)  1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии 45mΩ@4.5V,4A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3415
  • PDF NCE3415.pdf
Консультация
NCE65TF099

NCE65TF099-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF099
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 38A мощность (Pd)  322W канал Nсопротивление в открытом состоянии 89mΩ@10V,19A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF099
  • PDF NCE65TF099.pdf
Консультация
NCE15P25JK

NCE15P25JK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE15P25JK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 150V пороговое напряжение - ток 25A мощность (Pd)  160W канал P сопротивление в открытом состоянии 150mΩ @ VGS=-10V корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE15P25JK
  • PDF NCE15P25JK.pdf
Консультация
NCE20P45Q

NCE20P45Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE20P45Q
  • КорпусDFN-8(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 19V пороговое напряжение 1V@250uA ток 45A мощность (Pd)  80W канал Pсопротивление в открытом состоянии 7mΩ@4.5V,20A корпус DFN-8(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE20P45Q
  • PDF NCE20P45Q.pdf
Консультация
NCE80H12

NCE80H12-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE80H12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 80V пороговое напряжение 4V@250uA ток 120A мощность (Pd)  220W канал Nсопротивление в открытом состоянии 6mΩ@10V,40A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE80H12
  • PDF NCE80H12.pdf
Консультация
NCE3416

NCE3416-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3416
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение 1V@250uA ток 6.5A мощность (Pd)  1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии 27mΩ@4.5V,6.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3416
  • PDF NCE3416.pdf
Консультация
NCE3007S

NCE3007S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3007S
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 6.5A мощность (Pd)  3.1W канал Pсопротивление в открытом состоянии 42mΩ@10V,6.5A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3007S
  • PDF NCE3007S.pdf
Консультация
NCE55P30K

NCE55P30K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE55P30K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 55V пороговое напряжение 4V@250uA ток 30A мощность (Pd)  65W канал Pсопротивление в открытом состоянии 40mΩ@10V,15A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE55P30K
  • PDF NCE55P30K.pdf
Консультация
NCE3095K

NCE3095K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3095K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 95A мощность (Pd)  95W канал Nсопротивление в открытом состоянии 4.1mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3095K
  • PDF NCE3095K.pdf
Консультация
NCEP035N85GU

NCEP035N85GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP035N85GU
  • КорпусDFN-8(5.8x4.9)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 85V пороговое напряжение - ток 135A мощность (Pd)  160W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.9mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8(5.8x4.9) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP035N85GU
  • PDF NCEP035N85GU.pdf
Консультация
NCE3400AY

NCE3400AY-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3400AY
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 1.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd)  1.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии 27mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3400AY
  • PDF NCE3400AY.pdf
Консультация
NCE65TF180D

NCE65TF180D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF180D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 21A мощность (Pd)  188W канал Nсопротивление в открытом состоянии 160mΩ@10V,10.5A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF180D
  • PDF NCE65TF180D.pdf
Консультация
NCE40P20Q

NCE40P20Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40P20Q
  • КорпусDFN-8L(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 -40V пороговое напряжение - ток 20A мощность (Pd)  30W канал P сопротивление в открытом состоянии 18mΩ @ VGS=-10V корпус DFN-8L(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40P20Q
  • PDF NCE40P20Q.pdf
Консультация
NCE65T360K

NCE65T360K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T360K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 11.5A мощность (Pd)  101W канал N сопротивление в открытом состоянии 360mΩ@10V,7A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T360K
  • PDF NCE65T360K.pdf
Консультация
NCE1540KA

NCE1540KA-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE1540KA
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 150V пороговое напряжение 1.05V@250uA ток 40A мощность (Pd)  140W канал Nсопротивление в открытом состоянии 35mΩ@10V,18A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE1540KA
  • PDF NCE1540KA.pdf
Консультация
NCEP25N10AK

NCEP25N10AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP25N10AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 1.7V@250uA ток 35A мощность (Pd)  105W канал N сопротивление в открытом состоянии 21mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP25N10AK
  • PDF NCEP25N10AK.pdf
Консультация
NCE30P25S

NCE30P25S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30P25S
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 25A мощность (Pd)  3.5W канал Pсопротивление в открытом состоянии 9mΩ@10V,15A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30P25S
  • PDF NCE30P25S.pdf
Консультация
NCE0140KA

NCE0140KA-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0140KA
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 40A мощность (Pd)  140W канал N сопротивление в открытом состоянии 17mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0140KA
  • PDF NCE0140KA.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая12345678...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd