О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE0208KA

NCE0208KA-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0208KA
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение - ток 8A мощность (Pd)  55W канал N сопротивление в открытом состоянии 300mΩ @ VGS=10V( Typ: 260mΩ) корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0208KA
  • PDF NCE0208KA.pdf
Консультация
NCE65T180

NCE65T180-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T180
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 21A мощность (Pd)  188W канал N сопротивление в открытом состоянии 150mΩ@10V,10.5A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T180
  • PDF NCE65T180.pdf
Консультация
NCE30H12K

NCE30H12K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H12K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 120A мощность (Pd)  120W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.5mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H12K
  • PDF NCE30H12K.pdf
Консультация
NCEP092N10AS

NCEP092N10AS-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP092N10AS
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 1.7V@250uA ток 14A мощность (Pd)  3.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 8.4mΩ@10V,14A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP092N10AS
  • PDF NCEP092N10AS.pdf
Консультация
NCEP028N12LL

NCEP028N12LL-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP028N12LL
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 120V пороговое напряжение - ток 230A мощность (Pd)  380W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.0mΩ , typical@ VGS=10V корпус TOLL MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP028N12LL
  • PDF NCEP028N12LL.pdf
Консультация
NCEP1580

NCEP1580-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP1580
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 80A мощность (Pd)  210W канал N сопротивление в открытом состоянии 10.4mΩ@10V,40A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP1580
  • PDF NCEP1580.pdf
Консультация
NCEP60T20

NCEP60T20-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP60T20
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 200A мощность (Pd)  255W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.2mΩ@10V,100A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP60T20
  • PDF NCEP60T20.pdf
Консультация
NCEP018N85LL

NCEP018N85LL-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP018N85LL
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 85V пороговое напряжение - ток 320A мощность (Pd)  380W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.3mΩ , typical @ VGS=10V корпус TOLL MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP018N85LL
  • PDF NCEP018N85LL.pdf
Консультация
NCE6080A

NCE6080A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6080A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 60V пороговое напряжение 1.8V@250uA ток 80A мощность (Pd)  110W канал N сопротивление в открытом состоянии 8mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6080A
  • PDF NCE6080A.pdf
Консультация
NCEP60T18

NCEP60T18-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP60T18
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 4V@250uA ток 180A мощность (Pd)  220W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.9mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP60T18
  • PDF NCEP60T18.pdf
Консультация
NCE70T540K

NCE70T540K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T540K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 700V пороговое напряжение 4V@250uA ток 8A мощность (Pd)  69W канал N сопротивление в открытом состоянии 540mΩ@10V,4A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T540K
  • PDF NCE70T540K.pdf
Консультация
NCEP3040Q

NCEP3040Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP3040Q
  • КорпусPDFN-8(3.1x3.2)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 40A мощность (Pd)  25W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.8mΩ@10V,20A корпус PDFN-8(3.1x3.2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP3040Q
  • PDF NCEP3040Q.pdf
Консультация
NCE3400XY

NCE3400XY-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3400XY
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток 5.1A мощность (Pd)  1.3W канал N сопротивление в открытом состоянии 33mΩ @ VGS=10V корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3400XY
  • PDF NCE3400XY.pdf
Консультация
NCEP40PT15D

NCEP40PT15D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40PT15D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение -40V пороговое напряжение - ток -150A мощность (Pd)  250W канал P сопротивление в открытом состоянии 2.8mΩ (typical) @ VGS=-10V корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40PT15D
  • PDF NCEP40PT15D.pdf
Консультация
NCE70T360D

NCE70T360D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T360D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 700V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 11.5A мощность (Pd)  101W канал N сопротивление в открытом состоянии 330mΩ@10V,7A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T360D
  • PDF NCE70T360D.pdf
Консультация
NCEP4090GU

NCEP4090GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP4090GU
  • КорпусPDFN-8(5.1x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 40V пороговое напряжение - ток 90A мощность (Pd)  85W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.2mΩ (typical) @VGS=10V корпус  PDFN-8(5.1x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP4090GU
  • PDF NCEP4090GU.pdf
Консультация
NCE65T1K2K

NCE65T1K2K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T1K2K
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 85V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 160A мощность (Pd)  220W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.1mΩ@10V,80A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP85T16
  • PDF NCE65T1K2K.pdf
Консультация
NCEP016N85LL

NCEP016N85LL-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP016N85LL
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 85V пороговое напряжение - ток 360A мощность (Pd)  460W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.2mΩ , typical @ VGS=10V корпус TOLL MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP016N85LL
  • PDF NCEP016N85LL.pdf
Консультация
NCEP40T17A

NCEP40T17A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T17A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 170A мощность (Pd)  250W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.4mΩ@10V,85A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T17A
  • PDF NCEP40T17A.pdf
Консультация
NCEP15T14LL

NCEP15T14LL-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP15T14LL
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 150V пороговое напряжение - ток 170A мощность (Pd)  380W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.0mΩ , typical@ VGS=10V корпус TOLL MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP15T14LL
  • PDF NCEP15T14LL.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1... 678910111213...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd