О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
TO-220TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2SOP-8TO-220F-3SOT-23TO-247TO-251SOIC-8SOT-23-3LDFN-8(4.9x5.8)TO-252TO-263TOLLDFN-8L(5x6)TO-247-3SOT-23-6TO-3P-3DFN-8L(3.3x3.3)SOT-23-6LSOT-89-3TO-220FTO-247PTO-252-2LTO-252-4DFN-8(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)SOT-223TO-247AC-3TO-251(IPAK)DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3x3)DFN-8L(3x3)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOP-8-4.0mmSOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-89-3LTO-220-3TO-220-3LTO-247-3LTO-263-3TO-263-7LTO-92-2.5mmTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP60T12A

NCEP60T12A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP60T12A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.4V@250uA ток 120A мощность (Pd)  180W канал N сопротивление в открытом состоянии 4mΩ@10V,60A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP60T12A
  • PDF NCEP60T12A.pdf
Консультация
NCEP02525F

NCEP02525F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP02525F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 250V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 25A мощность (Pd)  45W канал N сопротивление в открытом состоянии 60mΩ@10V,20A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP02525F
  • PDF NCEP02525F.pdf
Консультация
NCE70T1K2K

NCE70T1K2K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T1K2K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 700V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd)  41W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.1Ω@10V,2A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T1K2K
  • PDF NCE70T1K2K.pdf
Консультация
NCEP039N10M

NCEP039N10M-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP039N10M
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 135A мощность (Pd)  220W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.65mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP039N10M
  • PDF NCEP039N10M.pdf
Консультация
NCEP068N10G

NCEP068N10G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP068N10G
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 85A мощность (Pd)  105W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.1mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP068N10G
  • PDF NCEP068N10G.pdf
Консультация
NCE4606

NCE4606-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4606
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 6.5A; 7A мощность (Pd)  2W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии 20mΩ@10V,6A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4606
  • PDF NCE4606.pdf
Консультация
NCE65TF099F

NCE65TF099F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF099F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 38A мощность (Pd)  36W канал N сопротивление в открытом состоянии 89mΩ@10V,19A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF099F
  • PDF NCE65TF099F.pdf
Консультация
NCE0240

NCE0240-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0240
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 200V пороговое напряжение 3.2V@250uA ток 40A мощность (Pd)  220W канал N сопротивление в открытом состоянии 36.4mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0240
  • PDF NCE0240.pdf
Консультация
NCE2030K

NCE2030K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2030K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 1.2V@250uA ток 30A мощность (Pd)  40W канал N сопротивление в открытом состоянии 13mΩ@4.5V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2030K
  • PDF NCE2030K.pdf
Консультация
NCE30H10G

NCE30H10G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H10G
  • КорпусPDFN-8(5.1x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток 100A мощность (Pd)  65W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.9mΩ (typical) @ VGS=10V корпус PDFN-8(5.1x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H10G
  • PDF NCE30H10G.pdf
Консультация
NCE40H12

NCE40H12-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40H12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 120A мощность (Pd)  130W канал N сопротивление в открытом состоянии 4mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40H12
  • PDF NCE40H12.pdf
Консультация
NCE0157A2

NCE0157A2-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0157A2
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 4V@250uA ток 57A мощность (Pd)  160W канал N сопротивление в открытом состоянии 17.5mΩ@10V,28A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0157A2
  • PDF NCE0157A2.pdf
Консультация
NCEP3045GU

NCEP3045GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP3045GU
  • КорпусDFN-8(4.9x5.7)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток 45A мощность (Pd)  28W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.8mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8(4.9x5.7) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP3045GU
  • PDF NCEP3045GU.pdf
Консультация
NCEP40T35ALL

NCEP40T35ALL-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T35ALL
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение - ток 350A мощность (Pd)  500W канал N сопротивление в открытом состоянии 0.63mΩ (typical) @ VGS=10V корпус TOLL MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T35ALL
  • PDF NCEP40T35ALL.pdf
Консультация
NCEP0116K

NCEP0116K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP0116K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 16A мощность (Pd)  55W канал N сопротивление в открытом состоянии 78mΩ (typical) @ VGS=10V корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP0116K
  • PDF NCEP0116K.pdf
Консультация
NCEP058N85D

NCEP058N85D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP058N85D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 85V пороговое напряжение 3V@250uA ток 95A мощность (Pd)  125W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.2mΩ@10V,45A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP058N85D
  • PDF NCEP058N85D.pdf
Консультация
NCE30H29D

NCE30H29D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H29D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 290A мощность (Pd)  270W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.8mΩ@10V,160A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H29D
  • PDF NCE30H29D.pdf
Консультация
NCE65T360

NCE65T360-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T360
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 11.5A мощность (Pd)  101W канал N сопротивление в открытом состоянии 360mΩ@10V,7A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T360
  • PDF NCE65T360.pdf
Консультация
NCE60ND09AS

NCE60ND09AS-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60ND09AS
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 1.8V@250uA ток 9A мощность (Pd)  2.6W канал N сопротивление в открытом состоянии 10mΩ@10V,9A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60ND09AS
  • PDF NCE60ND09AS.pdf
Консультация
NCE4963

NCE4963-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4963
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 20V пороговое напряжение 800mV@250uA ток 7A мощность (Pd)  3W канал 2 P сопротивление в открытом состоянии 21mΩ@4.5V,6.5A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4963
  • PDF NCE4963.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1... 7891011121314...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd