О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > BJT
Бренд：
CR Huajing
Мультивыбор
Корпус：
TO-126TO-220AB-3TO-262-3TO-3PNTO-92-3
Мультивыбор
3DD13005GRD

3DD13005GRD-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13005GRD
  • КорпусTO-262-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 4A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib, Ic час  Vce падение напряжения насыщения 250mV@2A,500mA различные  Ic, Vce час DC ток коэффициент усиления (hFE) 15@1A,5V мощность 50W частота 5MHz транзистор тип NPN корпус TO-262-3 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13005GRD
  • PDF 3DD13005GRD.pdf
Консультация
3DD13009AN

3DD13009AN-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13009AN
  • КорпусTO-3PN
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 12A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib, Ic час  Vce падение напряжения насыщения 450mV@8A,1.6A различные  Ic, Vce час DC ток коэффициент усиления (hFE) - мощность 120W частота 4MHz транзистор тип NPN корпус TO-3PN BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13009AN
  • PDF 3DD13009AN.pdf
Консультация
3DD13007X1

3DD13007X1-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13007X1
  • КорпусTO-220AB-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 8A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib, Ic час  Vce падение напряжения насыщения 500mV@5A,1A различные  Ic, Vce час DC ток коэффициент усиления (hFE) - мощность 80W частота 10MHz транзистор тип NPN корпус TO-220AB-3 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13007X1
  • PDF 3DD13007X1.pdf
Консультация
3DD13009A8

3DD13009A8-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13009A8
  • КорпусTO-220AB-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 12A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib, Ic час  Vce падение напряжения насыщения 450mV@8A,1.6A различные  Ic, Vce час DC ток коэффициент усиления (hFE) - мощность 100W частота 4MHz транзистор тип NPN корпус TO-220AB-3 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13009A8
  • PDF 3DD13009A8.pdf
Консультация
3DD13005C7D

3DD13005C7D-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13005C7D
  • КорпусTO-126
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 4A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib, Ic час  Vce падение напряжения насыщения 300mV@2A,500mA различные  Ic, Vce час DC ток коэффициент усиления (hFE) - мощность 50W частота 5MHz транзистор тип NPN+PNP корпус TO-126 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13005C7D
  • PDF 3DD13005C7D.pdf
Консультация
3DD13003F6

3DD13003F6-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13003F6
  • КорпусTO-126
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 1.5A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib, Ic час  Vce падение напряжения насыщения 300mV@1A,250mA различные  Ic, Vce час DC ток коэффициент усиления (hFE) - мощность 50W частота 5MHz транзистор тип NPN корпус TO-126 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13003F6
  • PDF 3DD13003F6.pdf
Консультация
3DD13003E6D

3DD13003E6D-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13003E6D
  • КорпусTO-126
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 1.3A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib, Ic час  Vce падение напряжения насыщения 400mV@500mA,100mA различные  Ic, Vce час DC ток коэффициент усиления (hFE) 15@200mA,5V мощность 40W частота 5MHz транзистор тип NPN+PNP корпус TO-126 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13003E6D
  • PDF 3DD13003E6D.pdf
Консультация
3DD13003E1D

3DD13003E1D-华润华晶

  • ТипBJT
  • Модель3DD13003E1D
  • КорпусTO-92-3
  • Производитель华润华晶
  • Описаниеколлектор ток (Ic) 1.3A напряжение - пробой коллектор-эмиттер 400V различные  Ib, Ic час  Vce падение напряжения насыщения 400mV@500mA,100mA различные  Ic, Vce час DC ток коэффициент усиления (hFE) 15@200mA,5V мощность 800mW частота 5MHz транзистор тип NPN+PNP корпус TO-92-3 BJT бренд CR Huajing артикул 3DD13003E1D
  • PDF 3DD13003E1D.pdf
Консультация
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd