О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE25GD135T

NCE25GD135T-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE25GD135T
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 1350V 电流 - 集电极 (Ic) 50A 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 90A 功率 312W 栅极电荷 300nC время обратного восстановления (trr) 350ns 不同 Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-247-3 IGBT-транзистор /模块 品牌  NCE 型号 NCE25GD135T
  • PDF NCE25GD135T.pdf
Консультация
NCE10TD60B

NCE10TD60B-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE10TD60B
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 600V 电流 - 集电极 (Ic) 20A 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 30A 功率 83W 栅极电荷 44nCвремя обратного восстановления (trr) 158ns 不同 Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-220 IGBT-транзистор /模块 品牌  NCE 型号 NCE10TD60B
  • PDF NCE10TD60B.pdf
Консультация
NCE30TD60BT

NCE30TD60BT-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE30TD60BT
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 600V 电流 - 集电极 (Ic) 60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 90A 功率 183W 栅极电荷 132nC время обратного восстановления (trr) 178ns 不同 Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-247-3 IGBT-транзистор /模块 品牌  NCE 型号 NCE30TD60BT
  • PDF NCE30TD60BT.pdf
Консультация
NCE30TH60BP

NCE30TH60BP-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE30TH60BP
  • КорпусTO-3P-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 600V 电流 - 集电极 (Ic) 60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 90A 功率 183W 栅极电荷 132nCвремя обратного восстановления (trr) 178ns 不同 Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-3P-3 IGBT-транзистор /模块 品牌  NCE 型号 NCE30TH60BP
  • PDF NCE30TH60BP.pdf
Консультация
NCE40TD60BP

NCE40TD60BP-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE40TD60BP
  • КорпусTO-3P-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 600V 电流 - 集电极 (Ic) 80A 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 120A 功率 286W 栅极电荷 176nCвремя обратного восстановления (trr) 242ns 不同 Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-3P-3 IGBT-транзистор /模块 品牌  NCE 型号 NCE40TD60BP
  • PDF NCE40TD60BP.pdf
Консультация
NCE20TD60BD

NCE20TD60BD-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE20TD60BD
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 600V 电流 - 集电极 (Ic) 40A 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 60A 功率 135W 栅极电荷 97nCвремя обратного восстановления (trr) 182ns 不同 Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-263-2 IGBT-транзистор /模块 品牌  NCE 型号 NCE20TD60BD
  • PDF NCE20TD60BD.pdf
Консультация
NCE30TD120UT

NCE30TD120UT-NCE

  • ТипIGBT-транзистор /модуль
  • МодельNCE30TD120UT
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 1200V 电流 - 集电极 (Ic) 60A 电流 - 集电极脉冲 (Icm) 90A 功率 468W 栅极电荷 242nC время обратного восстановления (trr) 190ns 不同 Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-247 IGBT-транзистор /模块 品牌  NCE 型号 NCE30TD120UT
  • PDF NCE30TD120UT.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1... 1920212223Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd