О компании
Контакты
19865874889
Единая платформа услуг по электронным компонентам
19865874889
Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
-
NCE6008AS-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCE6008AS
- КорпусSOP-8
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 60V 阈值电压 2.2V@250uA 电流 8A 功率(Pd) 2.1W 沟道 N导通电阻 20mΩ@10V,8A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE6008AS
- PDF
NCE6008AS.pdf
-
NCE2003-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCE2003
- КорпусSOT-23-6
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 20V 阈值电压 2.2V@250uA 电流 N,3A-P,-3A 功率(Pd) 2.1W 沟道 N and P导通电阻 N,35mΩ @ VGS=4.5V -P, 75mΩ @ VGS=-4.5V 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE2003
- PDF
NCE2003.pdf
-
NCE8295A-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCE8295A
- КорпусTO-220
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 82V 阈值电压 4V@250uA 电流 95A 功率(Pd) 170W 沟道 N导通电阻 8mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE8295A
- PDF
NCE8295A.pdf
-
NCEP40T14G-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCEP40T14G
- КорпусDFN-8(4.9x5.8)
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 40V 阈值电压 - 电流 140A 功率(Pd) 133W 沟道 N导通电阻 1.6mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 DFN-8(4.9x5.8) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP40T14G
- PDF
NCEP40T14G.pdf
-
NCEP035N60AG-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCEP035N60AG
- КорпусDFN-8L(5x6)
- ПроизводительNCE
- Описание 耐压 60V 阈值电压 - 电流 110A 功率(Pd) 85W 沟道 N导通电阻 2.8mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 DFN-8L(5x6) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP035N60AG
- PDF
NCEP035N60AG.pdf
-
NCEP6090K-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCEP6090K
- КорпусTO-252-2
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 60V 阈值电压 3V@250uA 电流 90A 功率(Pd) 100W 沟道 N 导通电阻 6.4mΩ@10V,45A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP6090K
- PDF
NCEP6090K.pdf
-
NCE65T180F-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCE65T180F
- КорпусTO-220F-3
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 21A 功率(Pd) 33.8W 沟道 N导通电阻 180mΩ@10V,10.5A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE65T180F
- PDF
NCE65T180F.pdf
-
NCE2303-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCE2303
- КорпусSOT-23
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 30V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 2A 功率(Pd) 1W 沟道 P 导通电阻 130mΩ@10V,2A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE2303
- PDF
NCE2303.pdf
-
NCEP033N10D-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCEP033N10D
- КорпусTO-263-2
- ПроизводительNCE
- Описание 耐压 100V 阈值电压 3V@250uA 电流 160A 功率(Pd) 245W 沟道 N 导通电阻 2.7mΩ@10V,80A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP033N10D
- PDF
NCEP033N10D.pdf
-
NCE0125AK-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCE0125AK
- КорпусTO-252-2
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 100V 阈值电压 1.2V@250uA 电流 25A 功率(Pd) 70W 沟道 N导通电阻 28mΩ@10V,15A 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE0125AK
- PDF
NCE0125AK.pdf
-
NCEP020N10LL-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCEP020N10LL
- КорпусTOLL
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 100V 阈值电压 - 电流 330A 功率(Pd) 400W 沟道 N 导通电阻 1.5mΩ , typical @ VGS=10V 封装 TOLL 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP020N10LL
- PDF
NCEP020N10LL.pdf
-
NCE65TF099T-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCE65TF099T
- КорпусTO-247
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 650V 阈值电压 - 电流 38A 功率(Pd) 322W 沟道 N导通电阻 89mΩ 封装 TO-247 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE65TF099T
- PDF
NCE65TF099T.pdf
-
NCEP6090AGU-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCEP6090AGU
- КорпусPDFN-8(5.2x6.2)
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 60V 阈值电压 - 电流 90A 功率(Pd) 100W 沟道 N导通电阻 2.8mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 PDFN-8(5.2x6.2) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP6090AGU
- PDF
NCEP6090AGU.pdf
-
NCEP4065QU-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCEP4065QU
- КорпусDFN-8(3.1x3.2)
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 40V 阈值电压 - 电流 65A 功率(Pd) 55W 沟道 N导通电阻 2.2mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 DFN-8(3.1x3.2) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP4065QU
- PDF
NCEP4065QU.pdf
-
NCE60H10-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCE60H10
- КорпусTO-220
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 60V 阈值电压 2.85V@250uA 电流 100A 功率(Pd) 170W 沟道 N导通电阻 4.8mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE60H10
- PDF
NCE60H10.pdf
-
NCE60P50-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCE60P50
- КорпусTO-220
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 60V 阈值电压 3.5V@250uA 电流 50A 功率(Pd) 95W 沟道 P导通电阻 28mΩ@10V,20A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE60P50
- PDF
NCE60P50.pdf
-
NCEP02T10D-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCEP02T10D
- КорпусTO-263-2
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 200V 阈值电压 4.5V@250uA 电流 100A 功率(Pd) 300W 沟道 N导通电阻 10mΩ@10V,50A 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP02T10D
- PDF
NCEP02T10D.pdf
-
NCE6990K-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCE6990K
- КорпусTO-252
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 69V 阈值电压 - 电流 90A 功率(Pd) 160W 沟道 N导通电阻 7.0mΩ @ VGS=10V (Typ:5.7mΩ) 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE6990K
- PDF
NCE6990K.pdf
-
NCE30H15K-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCE30H15K
- КорпусTO-252-2(DPAK)
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 30V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 150A 功率(Pd) 130W 沟道 N导通电阻 4mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE30H15K
- PDF
NCE30H15K.pdf
-
NCE65T1K2K-NCE
- ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
- МодельNCE65T1K2K
- КорпусTO-252-2(DPAK)
- ПроизводительNCE
- Описание耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 41W 沟道 N 导通电阻 1.1Ω@10V,2A 封装 TO-252-2(DPAK) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE65T1K2K
- PDF
NCE65T1K2K.pdf
Полный ассортимент, удобные покупки
Прямая доставка с нескольких складов, быстрая отправка
Подлинные товары и изысканный сервис
Низкие цены каждый день, выбор без забот