О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
TO-220TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2SOP-8TO-220F-3SOT-23TO-247TO-251SOIC-8SOT-23-3LDFN-8(4.9x5.8)TO-252TO-263TOLLDFN-8L(5x6)TO-247-3SOT-23-6TO-3P-3DFN-8L(3.3x3.3)SOT-23-6LSOT-89-3TO-220FTO-247PTO-252-2LTO-252-4DFN-8(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)SOT-223TO-247AC-3TO-251(IPAK)DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3x3)DFN-8L(3x3)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOP-8-4.0mmSOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-89-3LTO-220-3TO-220-3LTO-247-3LTO-263-3TO-263-7LTO-92-2.5mmTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE6008AS

NCE6008AS-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6008AS
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 8A мощность (Pd)  2.1W канал N сопротивление в открытом состоянии 20mΩ@10V,8A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6008AS
  • PDF NCE6008AS.pdf
Консультация
NCE2003

NCE2003-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2003
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток N,3A-P,-3A мощность (Pd)  2.1W канал N and P сопротивление в открытом состоянии N,35mΩ @ VGS=4.5V -P, 75mΩ @ VGS=-4.5V корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2003
  • PDF NCE2003.pdf
Консультация
NCE8295A

NCE8295A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE8295A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 82V пороговое напряжение 4V@250uA ток 95A мощность (Pd)  170W канал N сопротивление в открытом состоянии 8mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE8295A
  • PDF NCE8295A.pdf
Консультация
NCEP40T14G

NCEP40T14G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T14G
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение - ток 140A мощность (Pd)  133W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.6mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T14G
  • PDF NCEP40T14G.pdf
Консультация
NCEP035N60AG

NCEP035N60AG-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP035N60AG
  • КорпусDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 60V пороговое напряжение - ток 110A мощность (Pd)  85W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.8mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP035N60AG
  • PDF NCEP035N60AG.pdf
Консультация
NCEP6090K

NCEP6090K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP6090K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 3V@250uA ток 90A мощность (Pd)  100W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.4mΩ@10V,45A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP6090K
  • PDF NCEP6090K.pdf
Консультация
NCE65T180F

NCE65T180F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T180F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 21A мощность (Pd)  33.8W канал N сопротивление в открытом состоянии 180mΩ@10V,10.5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T180F
  • PDF NCE65T180F.pdf
Консультация
NCE2303

NCE2303-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2303
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 2A мощность (Pd)  1W канал P сопротивление в открытом состоянии 130mΩ@10V,2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2303
  • PDF NCE2303.pdf
Консультация
NCEP033N10D

NCEP033N10D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP033N10D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 100V пороговое напряжение 3V@250uA ток 160A мощность (Pd)  245W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.7mΩ@10V,80A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP033N10D
  • PDF NCEP033N10D.pdf
Консультация
NCE0125AK

NCE0125AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0125AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 1.2V@250uA ток 25A мощность (Pd)  70W канал N сопротивление в открытом состоянии 28mΩ@10V,15A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0125AK
  • PDF NCE0125AK.pdf
Консультация
NCEP020N10LL

NCEP020N10LL-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP020N10LL
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 330A мощность (Pd)  400W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.5mΩ , typical @ VGS=10V корпус TOLL MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP020N10LL
  • PDF NCEP020N10LL.pdf
Консультация
NCE65TF099T

NCE65TF099T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF099T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение - ток 38A мощность (Pd)  322W канал N сопротивление в открытом состоянии 89mΩ корпус TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF099T
  • PDF NCE65TF099T.pdf
Консультация
NCEP6090AGU

NCEP6090AGU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP6090AGU
  • КорпусPDFN-8(5.2x6.2)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение - ток 90A мощность (Pd)  100W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.8mΩ (typical) @ VGS=10V корпус PDFN-8(5.2x6.2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP6090AGU
  • PDF NCEP6090AGU.pdf
Консультация
NCEP4065QU

NCEP4065QU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP4065QU
  • КорпусDFN-8(3.1x3.2)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение - ток 65A мощность (Pd)  55W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.2mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8(3.1x3.2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP4065QU
  • PDF NCEP4065QU.pdf
Консультация
NCE60H10

NCE60H10-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60H10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.85V@250uA ток 100A мощность (Pd)  170W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.8mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60H10
  • PDF NCE60H10.pdf
Консультация
NCE60P50

NCE60P50-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P50
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 50A мощность (Pd)  95W канал P сопротивление в открытом состоянии 28mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P50
  • PDF NCE60P50.pdf
Консультация
NCEP02T10D

NCEP02T10D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP02T10D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 100A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 10mΩ@10V,50A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP02T10D
  • PDF NCEP02T10D.pdf
Консультация
NCE6990K

NCE6990K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6990K
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 69V пороговое напряжение - ток 90A мощность (Pd)  160W канал N сопротивление в открытом состоянии 7.0mΩ @ VGS=10V (Typ:5.7mΩ) корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6990K
  • PDF NCE6990K.pdf
Консультация
NCE30H15K

NCE30H15K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H15K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 150A мощность (Pd)  130W канал N сопротивление в открытом состоянии 4mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H15K
  • PDF NCE30H15K.pdf
Консультация
NCE65T1K2K

NCE65T1K2K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T1K2K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd)  41W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.1Ω@10V,2A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T1K2K
  • PDF NCE65T1K2K.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1... 56789101112...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd