О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP0135AK

NCEP0135AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP0135AK
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 2V@250uA ток 35A мощность (Pd)  110W канал Nсопротивление в открытом состоянии 18mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP0135AK
  • PDF NCEP0135AK.pdf
Консультация
NCE55P15K

NCE55P15K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE55P15K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 55V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 15A мощность (Pd)  35W канал Pсопротивление в открытом состоянии 75mΩ@10V,5A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE55P15K
  • PDF NCE55P15K.pdf
Консультация
NCE1505S

NCE1505S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE1505S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 150V пороговое напряжение 3.2V@250uA ток 5.2A мощность (Pd)  3.5W канал Nсопротивление в открытом состоянии 31mΩ@10V,5.2A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE1505S
  • PDF NCE1505S.pdf
Консультация
NCE8295AD

NCE8295AD-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE8295AD
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 82V пороговое напряжение 4V@250uA ток 95A мощность (Pd)  170W канал N сопротивление в открытом состоянии 8mΩ@10V,20A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE8295AD
  • PDF NCE8295AD.pdf
Консультация
NCE9435

NCE9435-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE9435
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 5.1A мощность (Pd)  2.5W канал Pсопротивление в открытом состоянии 43mΩ@10V,5.1A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE9435
  • PDF NCE9435.pdf
Консультация
NCEP15T14D

NCEP15T14D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP15T14D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 150V пороговое напряжение 3V@250uA ток 140A мощность (Pd)  340W канал Nсопротивление в открытом состоянии 5.6mΩ@10V,70A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP15T14D
  • PDF NCEP15T14D.pdf
Консультация
NCE0117K

NCE0117K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0117K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 17A мощность (Pd)  55W канал Nсопротивление в открытом состоянии 70mΩ@10V,5A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0117K
  • PDF NCE0117K.pdf
Консультация
NCE55P05S

NCE55P05S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE55P05S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 55V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 5A мощность (Pd)  3W канал Pсопротивление в открытом состоянии 80mΩ@10V,5A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE55P05S
  • PDF NCE55P05S.pdf
Консультация
NCE609

NCE609-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE609
  • КорпусTO-252-4
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток N,21A-P,-14A мощность (Pd)  40W канал 1个N和1个Pсопротивление в открытом состоянии 14mΩ@10V,10A корпус TO-252-4 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE609
  • PDF NCE609.pdf
Консультация
NCEP40P80K

NCEP40P80K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40P80K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 -40V пороговое напряжение - ток -80A мощность (Pd)  150W канал P сопротивление в открытом состоянии 5.6mΩ (typical) @ VGS=-10V корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40P80K
  • PDF NCEP40P80K.pdf
Консультация
NCE8295AK

NCE8295AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE8295AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 82V пороговое напряжение - ток 95A мощность (Pd)  170W канал Nсопротивление в открытом состоянии 8.0 mΩ @ VGS=10V (Typ:6.6mΩ) корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE8295AK
  • PDF NCE8295AK.pdf
Консультация
NCEP02T10

NCEP02T10-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP02T10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 100A мощность (Pd)  300W канал Nсопротивление в открытом состоянии 10mΩ@10V,50A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP02T10
  • PDF NCEP02T10.pdf
Консультация
NCEP40P80G

NCEP40P80G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40P80G
  • КорпусDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 -40V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток -80A мощность (Pd)  75W канал Pсопротивление в открытом состоянии 6.3mΩ (typical) @ VGS=-10V корпус DFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40P80G
  • PDF NCEP40P80G.pdf
Консультация
NCE6020AI

NCE6020AI-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6020AI
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 20A мощность (Pd)  45W канал Nсопротивление в открытом состоянии 35mΩ@10V,20A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6020AI
  • PDF NCE6020AI.pdf
Консультация
NCE2312

NCE2312-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2312
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение 1.2V@250uA ток 4.5A мощность (Pd)  1.25W канал N сопротивление в открытом состоянии 33mΩ@4.5V,4.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2312
  • PDF NCE2312.pdf
Консультация
2N7002K

2N7002K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002K
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение 1.9V@250uA ток 300mA мощность (Pd)  350mW канал Nсопротивление в открытом состоянии 3Ω@5V,400mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул 2N7002K
  • PDF 2N7002K.pdf
Консультация
NCEP1545K

NCEP1545K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP1545K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 150V пороговое напряжение - ток 45A мощность (Pd)  130W канал N сопротивление в открытом состоянии 24mΩ (typical) @ VGS=10V корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP1545K
  • PDF NCEP1545K.pdf
Консультация
NCE65T260F

NCE65T260F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T260F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 15A мощность (Pd)  33.2W канал N сопротивление в открытом состоянии 260mΩ@10V,8A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T260F
  • PDF NCE65T260F.pdf
Консультация
NCE30D2519K

NCE30D2519K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30D2519K
  • КорпусTO-252-4
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 2V@250uA ток N,25A-P.-19A мощность (Pd)  21W канал 1个N和1个P сопротивление в открытом состоянии 8.5mΩ@10V,7A корпус TO-252-4 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30D2519K
  • PDF NCE30D2519K.pdf
Консультация
NCEP02580D

NCEP02580D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP02580D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 250V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 80A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 16mΩ@10V,40A корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP02580D
  • PDF NCEP02580D.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая123456789...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd