О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE65T180D

NCE65T180D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T180D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 21A мощность (Pd)  180W канал N сопротивление в открытом состоянии 180mΩ@10V,10.5A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T180D
  • PDF NCE65T180D.pdf
Консультация
NCEP02515K

NCEP02515K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP02515K
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 250V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 15A мощность (Pd)  140W канал Nсопротивление в открытом состоянии 200mΩ@10V,15A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP02515K
  • PDF NCEP02515K.pdf
Консультация
NCE4614

NCE4614-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4614
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение - ток N,8A-P,-7A мощность (Pd)  2W канал N and Pсопротивление в открытом состоянии - корпус  SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4614
  • PDF NCE4614.pdf
Консультация
NCE3404

NCE3404-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3404
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 2.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd)  1.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии 31mΩ@10V,5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3404
  • PDF NCE3404.pdf
Консультация
NCE3400X

NCE3400X-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3400X
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - ток 5.1A мощность (Pd)  1.3W канал N сопротивление в открытом состоянии 55mΩ @ VGS=2.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3400X
  • PDF NCE3400X.pdf
Консультация
NCE2305

NCE2305-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2305
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение 1V@250uA ток 4.1A мощность (Pd)  1.7W канал Pсопротивление в открытом состоянии 52mΩ@4.5V,4.1A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2305
  • PDF NCE2305.pdf
Консультация
NCEP0160AG

NCEP0160AG-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP0160AG
  • КорпусDFN(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 1.7V@250uA ток 60A мощность (Pd)  105W канал N сопротивление в открытом состоянии 7.2mΩ@10V,30A корпус DFN(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP0160AG
  • PDF NCEP0160AG.pdf
Консультация
NCE2060K

NCE2060K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2060K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение 1V@250uA ток 60A мощность (Pd)  60W канал N сопротивление в открытом состоянии 6mΩ@4.5V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2060K
  • PDF NCE2060K.pdf
Консультация
NCE80T320F

NCE80T320F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE80T320F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 17A мощность (Pd)  35W канал N сопротивление в открытом состоянии 260mΩ@10V,8.5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE80T320F
  • PDF NCE80T320F.pdf
Консультация
NCE3407AY

NCE3407AY-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3407AY
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 4.3A мощность (Pd)  1.5W канал Pсопротивление в открытом состоянии 52mΩ@10V,4A корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3407AY
  • PDF NCE3407AY.pdf
Консультация
NCEP6080AG

NCEP6080AG-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP6080AG
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение 2.4V@250uA ток 80A мощность (Pd)  85W канал Nсопротивление в открытом состоянии 4mΩ@10V,40A корпус DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP6080AG
  • PDF NCEP6080AG.pdf
Консультация
NCEP023N10LL

NCEP023N10LL-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP023N10LL
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение - ток 300A мощность (Pd)  380W канал Nсопротивление в открытом состоянии 1.7mΩ , typical@ VGS=10V корпус TOLL MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP023N10LL
  • PDF NCEP023N10LL.pdf
Консультация
NCE60P45K

NCE60P45K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P45K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение 2.6V@250uA ток 45A мощность (Pd)  110W канал P сопротивление в открытом состоянии 31mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P45K
  • PDF NCE60P45K.pdf
Консультация
NCE30P12S

NCE30P12S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30P12S
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 12A мощность (Pd)  3W канал P сопротивление в открытом состоянии 15mΩ@10V,10A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30P12S
  • PDF NCE30P12S.pdf
Консультация
NCE3018AS

NCE3018AS-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3018AS
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 1.4V@250uA ток 18A мощность (Pd)  3W канал Nсопротивление в открытом состоянии 7mΩ@10V,12A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3018AS
  • PDF NCE3018AS.pdf
Консультация
NCE30P50G

NCE30P50G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30P50G
  • КорпусPDFN-8(5.8x4.9)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 50A мощность (Pd)  35W канал Pсопротивление в открытом состоянии 7mΩ@10V,10A корпус PDFN-8(5.8x4.9) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30P50G
  • PDF NCE30P50G.pdf
Консультация
NCE82H140D

NCE82H140D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE82H140D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 82V пороговое напряжение 3V@250uA ток 140A мощность (Pd)  220W канал Nсопротивление в открытом состоянии 4.3mΩ@10V,20A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE82H140D
  • PDF NCE82H140D.pdf
Консультация
NCE30H10K

NCE30H10K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H10K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 100A мощность (Pd)  110W канал Nсопротивление в открытом состоянии 5.5mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H10K
  • PDF NCE30H10K.pdf
Консультация
NCE603S

NCE603S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE603S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток N,6.3A-P,6A мощность (Pd)  2W канал 1个N和1个P сопротивление в открытом состоянии 26mΩ@10V,6A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE603S
  • PDF NCE603S.pdf
Консультация
NCE3020Q

NCE3020Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3020Q
  • КорпусPDFN-8(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 20A мощность (Pd)  20W канал Nсопротивление в открытом состоянии 6.8mΩ@10V,10A корпус PDFN-8(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3020Q
  • PDF NCE3020Q.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1234567...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd