О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
TO-220TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2SOP-8TO-220F-3SOT-23TO-247TO-251SOIC-8SOT-23-3LDFN-8(4.9x5.8)TO-252TO-263TOLLDFN-8L(5x6)TO-247-3SOT-23-6TO-3P-3DFN-8L(3.3x3.3)SOT-23-6LSOT-89-3TO-220FTO-247PTO-252-2LTO-252-4DFN-8(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)SOT-223TO-247AC-3TO-251(IPAK)DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3x3)DFN-8L(3x3)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOP-8-4.0mmSOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-89-3LTO-220-3TO-220-3LTO-247-3LTO-263-3TO-263-7LTO-92-2.5mmTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE65T260D

NCE65T260D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T260D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 650V пороговое напряжение - ток 15A мощность (Pd)  33.2W канал N сопротивление в открытом состоянии 220 mΩ корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T260D
  • PDF NCE65T260D.pdf
Консультация
NCE4801

NCE4801-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4801
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1V@250uA ток 5A мощность (Pd)  2W канал 2 P сопротивление в открытом состоянии 40mΩ@10V,5A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4801
  • PDF NCE4801.pdf
Консультация
NCE60H15A

NCE60H15A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60H15A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 60V пороговое напряжение 3V@250uA ток 150A мощность (Pd)  220W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.1mΩ@10V,75A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60H15A
  • PDF NCE60H15A.pdf
Консультация
NCEP40T20A

NCEP40T20A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T20A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение - ток 200A мощность (Pd)  270W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.3mΩ (typical) @ VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T20A
  • PDF NCEP40T20A.pdf
Консультация
NCEP30T12G

NCEP30T12G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP30T12G
  • КорпусDFN-8(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 120A мощность (Pd)  75W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.35mΩ@10V,60A корпус DFN-8(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP30T12G
  • PDF NCEP30T12G.pdf
Консультация
NCE0224D

NCE0224D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0224D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение 3V@250uA ток 24A мощность (Pd)  150W канал N сопротивление в открытом состоянии 64mΩ@10V,15A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0224D
  • PDF NCE0224D.pdf
Консультация
NCEP3090GU

NCEP3090GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP3090GU
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 90A мощность (Pd)  70W канал N сопротивление в открытом состоянии 2mΩ@10V,20A корпус DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP3090GU
  • PDF NCEP3090GU.pdf
Консультация
NCE65T260

NCE65T260-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T260
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 650V пороговое напряжение - ток 15A мощность (Pd)  33.2W канал N сопротивление в открытом состоянии 220 mΩ корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T260
  • PDF NCE65T260.pdf
Консультация
NCE65T540F

NCE65T540F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T540F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 8A мощность (Pd)  31.6W канал N сопротивление в открытом состоянии 540mΩ@10V,4A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T540F
  • PDF NCE65T540F.pdf
Консультация
NCE6080D

NCE6080D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6080D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.8V@250uA ток 80A мощность (Pd)  110W канал N сопротивление в открытом состоянии 7mΩ@10V,20A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6080D
  • PDF NCE6080D.pdf
Консультация
NCEP025N60G

NCEP025N60G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP025N60G
  • КорпусDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение - ток 165A мощность (Pd)  145W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.2mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP025N60G
  • PDF NCEP025N60G.pdf
Консультация
NCEP85T14D

NCEP85T14D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP85T14D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 85V пороговое напряжение 3.1V@250uA ток 140A мощность (Pd)  200W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.3mΩ@10V,70A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP85T14D
  • PDF NCEP85T14D.pdf
Консультация
NCE65NF036T

NCE65NF036T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65NF036T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 710V пороговое напряжение - ток 70 A мощность (Pd)  488W канал N сопротивление в открытом состоянии 30 mΩ корпус TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65NF036T
  • PDF NCE65NF036T.pdf
Консультация
NCE65T540

NCE65T540-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T540
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 8A мощность (Pd)  69W канал N сопротивление в открытом состоянии 540mΩ@10V,4A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T540
  • PDF NCE65T540.pdf
Консультация
NCE6890K

NCE6890K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6890K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 68V пороговое напряжение 3V@250uA ток 90A мощность (Pd)  130W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6890K
  • PDF NCE6890K.pdf
Консультация
NCE60H15AD

NCE60H15AD-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60H15AD
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 3V@250uA ток 150A мощность (Pd)  220W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.1mΩ@10V,75A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60H15AD
  • PDF NCE60H15AD.pdf
Консультация
NCE3008XM

NCE3008XM-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3008XM
  • КорпусSOT-89-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток 8A мощность (Pd)  3.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 55mΩ @ VGS=2.5V корпус SOT-89-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3008XM
  • PDF NCE3008XM.pdf
Консультация
NCE8290AC

NCE8290AC-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE8290AC
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 82V пороговое напряжение 3V@250uA ток 90A мощность (Pd)  130W канал N сопротивление в открытом состоянии 9mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE8290AC
  • PDF NCE8290AC.pdf
Консультация
NCE6990D

NCE6990D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6990D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 69V пороговое напряжение 2.9V@250uA ток 90A мощность (Pd)  160W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.2mΩ@10V,30A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6990D
  • PDF NCE6990D.pdf
Консультация
NCE40H21

NCE40H21-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40H21
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 40V пороговое напряжение 1.8V@250uA ток 210A мощность (Pd)  310W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.3mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40H21
  • PDF NCE40H21.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1... 1011121314151617...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd