О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

NCE65T260D

NCE65T260D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T260D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 650V пороговое напряжение - 电流 15A 功率(Pd)  33.2W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 220 mΩ 封装 TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE65T260D
  • PDF NCE65T260D.pdf
NCE4801

NCE4801-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4801
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 1V@250uA 电流 5A 功率(Pd)  2W 沟道 2个P сопротивление в открытом состоянии 40mΩ@10V,5A 封装 SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE4801
  • PDF NCE4801.pdf
NCE60H15A

NCE60H15A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60H15A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 60V пороговое напряжение 3V@250uA 电流 150A 功率(Pd)  220W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 3.1mΩ@10V,75A 封装 TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE60H15A
  • PDF NCE60H15A.pdf
NCEP40T20A

NCEP40T20A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T20A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение - 电流 200A 功率(Pd)  270W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 1.3mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP40T20A
  • PDF NCEP40T20A.pdf
NCEP30T12G

NCEP30T12G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP30T12G
  • КорпусDFN-8(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 2.2V@250uA 电流 120A 功率(Pd)  75W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 2.35mΩ@10V,60A 封装 DFN-8(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP30T12G
  • PDF NCEP30T12G.pdf
NCE0224D

NCE0224D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0224D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение 3V@250uA 电流 24A 功率(Pd)  150W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 64mΩ@10V,15A 封装 TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE0224D
  • PDF NCE0224D.pdf
NCEP3090GU

NCEP3090GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP3090GU
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA 电流 90A 功率(Pd)  70W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 2mΩ@10V,20A 封装 DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP3090GU
  • PDF NCEP3090GU.pdf
NCE65T260

NCE65T260-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T260
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 650V пороговое напряжение - 电流 15A 功率(Pd)  33.2W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 220 mΩ 封装 TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE65T260
  • PDF NCE65T260.pdf
NCE65T540F

NCE65T540F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T540F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA 电流 8A 功率(Pd)  31.6W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 540mΩ@10V,4A 封装 TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE65T540F
  • PDF NCE65T540F.pdf
NCE6080D

NCE6080D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6080D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 60V пороговое напряжение 2.8V@250uA 电流 80A 功率(Pd)  110W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 7mΩ@10V,20A 封装 TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE6080D
  • PDF NCE6080D.pdf
NCEP025N60G

NCEP025N60G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP025N60G
  • КорпусDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение - 电流 165A 功率(Pd)  145W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 2.2mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 DFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP025N60G
  • PDF NCEP025N60G.pdf
NCEP85T14D

NCEP85T14D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP85T14D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 85V пороговое напряжение 3.1V@250uA 电流 140A 功率(Pd)  200W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 3.3mΩ@10V,70A 封装 TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP85T14D
  • PDF NCEP85T14D.pdf
NCE65NF036T

NCE65NF036T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65NF036T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 710V пороговое напряжение - 电流 70 A 功率(Pd)  488W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 30 mΩ 封装 TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE65NF036T
  • PDF NCE65NF036T.pdf
NCE65T540

NCE65T540-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T540
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA 电流 8A 功率(Pd)  69W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 540mΩ@10V,4A 封装 TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE65T540
  • PDF NCE65T540.pdf
NCE6890K

NCE6890K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6890K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 68V пороговое напряжение 3V@250uA 电流 90A 功率(Pd)  130W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE6890K
  • PDF NCE6890K.pdf
NCE60H15AD

NCE60H15AD-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60H15AD
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение 3V@250uA 电流 150A 功率(Pd)  220W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 3.1mΩ@10V,75A 封装 TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE60H15AD
  • PDF NCE60H15AD.pdf
NCE3008XM

NCE3008XM-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3008XM
  • КорпусSOT-89-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение - 电流 8A 功率(Pd)  3.5W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 55mΩ @ VGS=2.5V 封装 SOT-89-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE3008XM
  • PDF NCE3008XM.pdf
NCE8290AC

NCE8290AC-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE8290AC
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 82V пороговое напряжение 3V@250uA 电流 90A 功率(Pd)  130W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 9mΩ@10V,20A 封装 TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE8290AC
  • PDF NCE8290AC.pdf
NCE6990D

NCE6990D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6990D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 69V пороговое напряжение 2.9V@250uA 电流 90A 功率(Pd)  160W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 6.2mΩ@10V,30A 封装 TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE6990D
  • PDF NCE6990D.pdf
NCE40H21

NCE40H21-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40H21
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 40V пороговое напряжение 1.8V@250uA 电流 210A 功率(Pd)  310W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 2.3mΩ@10V,20A 封装 TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE40H21
  • PDF NCE40H21.pdf
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd