О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
TO-220TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-263-2SOP-8TO-220F-3SOT-23TO-247TO-251SOIC-8SOT-23-3LDFN-8(4.9x5.8)TO-252TO-263TOLLDFN-8L(5x6)TO-247-3SOT-23-6TO-3P-3DFN-8L(3.3x3.3)SOT-23-6LSOT-89-3TO-220FTO-247PTO-252-2LTO-252-4DFN-8(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)SOT-223TO-247AC-3TO-251(IPAK)DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3x3)DFN-8L(3x3)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOP-8-4.0mmSOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-89-3LTO-220-3TO-220-3LTO-247-3LTO-263-3TO-263-7LTO-92-2.5mmTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE01ND03S

NCE01ND03S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01ND03S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 100V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 3A мощность (Pd)  2W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии 95mΩ@10V,3A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01ND03S
  • PDF NCE01ND03S.pdf
Консультация
NCE6009AS

NCE6009AS-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6009AS
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 9A мощность (Pd)  2.6W канал N сопротивление в открытом состоянии 15mΩ@10V,9A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6009AS
  • PDF NCE6009AS.pdf
Консультация
NCEP40T15AGU

NCEP40T15AGU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T15AGU
  • КорпусDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение - ток 150A мощность (Pd)  2.6W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.2mΩ , typical@ VGS=10V корпус DFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T15AGU
  • PDF NCEP40T15AGU.pdf
Консультация
NCE01P05S

NCE01P05S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01P05S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение -100V пороговое напряжение - ток -5A мощность (Pd)  3.1W канал P сопротивление в открытом состоянии 100mΩ @ VGS=-10V (Typ:85mΩ) корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01P05S
  • PDF NCE01P05S.pdf
Консультация
NCE1502R

NCE1502R-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE1502R
  • КорпусSOT-223-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение 2V@250uA ток 2A мощность (Pd)  2W канал N сопротивление в открытом состоянии 260mΩ@10V,1.5A корпус SOT-223-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE1502R
  • PDF NCE1502R.pdf
Консультация
NCE2312A

NCE2312A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2312A
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 650mV@250uA ток 5A мощность (Pd)  1.25W канал N сопротивление в открытом состоянии 17mΩ@4.5V,5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2312A
  • PDF NCE2312A.pdf
Консультация
NCE1540K

NCE1540K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE1540K
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 40A мощность (Pd)  140W канал N сопротивление в открытом состоянии 45mΩ@10V,18A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE1540K
  • PDF NCE1540K.pdf
Консультация
NCE80T560F

NCE80T560F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE80T560F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 800V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 9A мощность (Pd)  33.2W канал N сопротивление в открытом состоянии 480mΩ@10V,4A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE80T560F
  • PDF NCE80T560F.pdf
Консультация
NCE2030

NCE2030-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2030
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 700mV@250uA ток 30A мощность (Pd)  40W канал N сопротивление в открытом состоянии 10.5mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2030
  • PDF NCE2030.pdf
Консультация
NCE0117

NCE0117-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0117
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 17A мощность (Pd)  55W канал N сопротивление в открытом состоянии 70mΩ@10V,5A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0117
  • PDF NCE0117.pdf
Консультация
NCE40P20Q1

NCE40P20Q1-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40P20Q1
  • КорпусDFN-8L(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение -40V пороговое напряжение - ток -20A мощность (Pd)  55W канал P сопротивление в открытом состоянии 18mΩ @ VGS=-10V корпус DFN-8L(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40P20Q1
  • PDF NCE40P20Q1.pdf
Консультация
NCEP15T14T

NCEP15T14T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP15T14T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение - ток 140A мощность (Pd)  320W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.2mΩ @ VGS=10V корпус TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP15T14T
  • PDF NCEP15T14T.pdf
Консультация
NCEP01T18T

NCEP01T18T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP01T18T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 180A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 3mΩ@10V,100A корпус TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP01T18T
  • PDF NCEP01T18T.pdf
Консультация
NCE40ND0812S

NCE40ND0812S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40ND0812S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение - ток 12A мощность (Pd)  2.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 14mΩ @ VGS=10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40ND0812S
  • PDF NCE40ND0812S.pdf
Консультация
NCE65TF180

NCE65TF180-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF180
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 21A мощность (Pd)  188W канал N сопротивление в открытом состоянии 160mΩ@10V,10.5A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF180
  • PDF NCE65TF180.pdf
Консультация
NCE60P28AK

NCE60P28AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P28AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение -60V пороговое напряжение - ток -28A мощность (Pd)  80W канал P сопротивление в открытом состоянии 48mΩ @ VGS=-10V корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P28AK
  • PDF NCE60P28AK.pdf
Консультация
NCEP01T13AD

NCEP01T13AD-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP01T13AD
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 135A мощность (Pd)  210W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.6mΩ@10V,60A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP01T13AD
  • PDF NCEP01T13AD.pdf
Консультация
NCE70T260F

NCE70T260F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T260F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 700V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 15A мощность (Pd)  33.2W канал N сопротивление в открытом состоянии 260mΩ@10V,8A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T260F
  • PDF NCE70T260F.pdf
Консультация
NCE30NP1812K

NCE30NP1812K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30NP1812K
  • КорпусTO-252-4
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток N,18A-P,-12A мощность (Pd)  25W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии 36mΩ@10V,10A корпус TO-252-4 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30NP1812K
  • PDF NCE30NP1812K.pdf
Консультация
NCEP85T25D

NCEP85T25D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP85T25D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 85V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 250A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.6mΩ@10V,100A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP85T25D
  • PDF NCEP85T25D.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1... 89101112131415...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd