О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP023N10D

NCEP023N10D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP023N10D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 3V@250uA 电流 240A мощность (Pd)  340W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 1.9mΩ@10V,120A 封装 TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP023N10D
  • PDF NCEP023N10D.pdf
Консультация
NCEP0178AF

NCEP0178AF-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP0178AF
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 2.2V@250uA 电流 78A мощность (Pd)  50W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 8.5mΩ@10V,39A 封装 TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP0178AF
  • PDF NCEP0178AF.pdf
Консультация
NCE30P30G

NCE30P30G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30P30G
  • КорпусDFN-8(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA 电流 30A мощность (Pd)  80W 沟道 P сопротивление в открытом состоянии 7.4mΩ@10V,15A 封装 DFN-8(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30P30G
  • PDF NCE30P30G.pdf
Консультация
NCEP40T15GU

NCEP40T15GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T15GU
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 40V пороговое напряжение - 电流 150A мощность (Pd)  80W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 1.09mΩ (typical) @ VGS=10V 封装 DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T15GU
  • PDF NCEP40T15GU.pdf
Консультация
NCEP12T12

NCEP12T12-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP12T12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 120V пороговое напряжение 3.3V@250uA 电流 129A мощность (Pd)  185W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 4.8mΩ@10V,60A 封装 TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP12T12
  • PDF NCEP12T12.pdf
Консультация
NCE01P30

NCE01P30-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01P30
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 -100V пороговое напряжение - 电流 -30A мощность (Pd)  185W 沟道 P сопротивление в открытом состоянии 58mΩ @ VGS=-10V (Typ:50mΩ) 封装 TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01P30
  • PDF NCE01P30.pdf
Консультация
NCE82H140

NCE82H140-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE82H140
  • КорпусTO-220-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 82V пороговое напряжение 3V@250uA 电流 140A мощность (Pd)  220W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 4.3mΩ@10V,20A 封装 TO-220-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE82H140
  • PDF NCE82H140.pdf
Консультация
NCE60NF031T

NCE60NF031T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60NF031T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 650V пороговое напряжение - 电流 73A мощность (Pd)  490W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 23 mΩ 封装 TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60NF031T
  • PDF NCE60NF031T.pdf
Консультация
NCEP028N85D

NCEP028N85D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP028N85D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 85V пороговое напряжение 3V@250uA 电流 200A мощность (Pd)  245W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 2.4mΩ@10V,100A 封装 TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP028N85D
  • PDF NCEP028N85D.pdf
Консультация
NCE30H12

NCE30H12-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA 电流 120A мощность (Pd)  120W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 3mΩ@10V,20A 封装 TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H12
  • PDF NCE30H12.pdf
Консультация
NCE65T2K4K

NCE65T2K4K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T2K4K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 710V пороговое напряжение 1.6V@250uA 电流 2A мощность (Pd)  21W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 2.2Ω@ 封装 TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T2K4K
  • PDF NCE65T2K4K.pdf
Консультация
NCE3009S

NCE3009S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3009S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение - 电流 9A мощность (Pd)  2.5W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 9mΩ @ VGS=10V 封装 SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3009S
  • PDF NCE3009S.pdf
Консультация
NCE6050IA

NCE6050IA-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6050IA
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 60V пороговое напряжение 2.5V@250uA 电流 50A мощность (Pd)  85W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 20mΩ@10V,20A 封装 TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6050IA
  • PDF NCE6050IA.pdf
Консультация
NCE01P18D

NCE01P18D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01P18D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 100V пороговое напряжение 1.9V@250uA 电流 18A мощность (Pd)  70W 沟道 P сопротивление в открытом состоянии 85mΩ@10V,16A 封装 TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01P18D
  • PDF NCE01P18D.pdf
Консультация
NCE0130KA

NCE0130KA-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0130KA
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 100V пороговое напряжение 1.9V@250uA 电流 30A мощность (Pd)  85W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 25mΩ@10V,10A 封装 TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0130KA
  • PDF NCE0130KA.pdf
Консультация
NCE6990

NCE6990-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6990
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 69V пороговое напряжение 4V@250uA 电流 90A мощность (Pd)  160W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 7mΩ@10V,30A 封装 TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6990
  • PDF NCE6990.pdf
Консультация
NCE70T360F

NCE70T360F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T360F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 700V пороговое напряжение - 电流 11.5A мощность (Pd)  32.6W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 330mΩ 封装 TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T360F
  • PDF NCE70T360F.pdf
Консультация
NCE82H160

NCE82H160-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE82H160
  • КорпусTO-220-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 82V пороговое напряжение - 电流 160A мощность (Pd)  285W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 4.5mΩ @ VGS=10V (Typ:3.8mΩ) 封装 TO-220-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE82H160
  • PDF NCE82H160.pdf
Консультация
NCE70T180F

NCE70T180F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T180F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 700V пороговое напряжение 3.5V@250uA 电流 21A мощность (Pd)  33.8W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 160mΩ@10V,10.5A 封装 TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T180F
  • PDF NCE70T180F.pdf
Консультация
NCE0106Z

NCE0106Z-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0106Z
  • КорпусTO-92-2.5mm
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 100V пороговое напряжение 1.8V@250uA 电流 6A мощность (Pd)  3W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 110mΩ@10V,5A 封装 TO-92-2.5mm MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0106Z
  • PDF NCE0106Z.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая1... 910111213141516...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd