О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE30H11BK

NCE30H11BK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H11BK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - ток 110A мощность (Pd)  115W канал Nсопротивление в открытом состоянии 2.6mΩ корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H11BK
  • PDF NCE30H11BK.pdf
Консультация
NCEP10N12

NCEP10N12-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP10N12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 120V пороговое напряжение - ток 70A мощность (Pd)  120W канал Nсопротивление в открытом состоянии 8.5mΩ корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP10N12
  • PDF NCEP10N12.pdf
Консультация
NCEP1520BK

NCEP1520BK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP1520BK
  • КорпусTO-252-2L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 150V пороговое напряжение - ток 20A мощность (Pd)  68W канал Nсопротивление в открытом состоянии 52mΩ корпус TO-252-2L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP1520BK
  • PDF NCEP1520BK.pdf
Консультация
NCE4080

NCE4080-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4080
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 80A мощность (Pd)  90W канал Nсопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4080
  • PDF NCE4080.pdf
Консультация
NCE6602N

NCE6602N-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6602N
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 3.5A мощность (Pd)  1.2W канал Nсопротивление в открытом состоянии 58mΩ @ VGS=10V корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6602N
  • PDF NCE6602N.pdf
Консультация
NCE3065Q

NCE3065Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3065Q
  • КорпусDFN-8L(3x3)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - ток 65A мощность (Pd)  45W канал Nсопротивление в открытом состоянии 4.2mΩ (typical) @VGS=10V корпус DFN-8L(3x3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3065Q
  • PDF NCE3065Q.pdf
Консультация
NCE3400

NCE3400-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3400
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 1.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd)  1.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии 41mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3400
  • PDF NCE3400.pdf
Консультация
NCE01H13

NCE01H13-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01H13
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 4V@250uA ток 130A мощность (Pd)  285W канал Nсопротивление в открытом состоянии 6.8mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01H13
  • PDF NCE01H13.pdf
Консультация
NCE80H12D

NCE80H12D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE80H12D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 80V пороговое напряжение - ток 120A мощность (Pd)  220W канал Nсопротивление в открытом состоянии 6mΩ @ VGS=10V корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE80H12D
  • PDF NCE80H12D.pdf
Консультация
NCE70T680K

NCE70T680K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T680K
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 700 V пороговое напряжение - ток 7 A мощность (Pd)  60W канал Nсопротивление в открытом состоянии 680 mΩ корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T680K
  • PDF NCE70T680K.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 9293949596979899...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd