О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE3013J

NCE3013J-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3013J
  • КорпусDFN-6L(2x2)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - ток 13A мощность (Pd)  3W канал Nсопротивление в открытом состоянии 12mΩ @ VGS=10V корпус DFN-6L(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3013J
  • PDF NCE3013J.pdf
Консультация
NCE70T260EF

NCE70T260EF-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T260EF
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 700 V пороговое напряжение - ток 15 A мощность (Pd)  33.2W канал Nсопротивление в открытом состоянии 260 mΩ корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T260EF
  • PDF NCE70T260EF.pdf
Консультация
NCE65T1K2F

NCE65T1K2F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T1K2F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd)  28.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии 1.1Ω@10V,2A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T1K2F
  • PDF NCE65T1K2F.pdf
Консультация
NCEP050N12D

NCEP050N12D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP050N12D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 120V пороговое напряжение - ток 130A мощность (Pd)  220W канал Nсопротивление в открытом состоянии 4.3mΩ , typical (TO-263)@VGS=10V корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP050N12D
  • PDF NCEP050N12D.pdf
Консультация
NCEP85T12

NCEP85T12-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP85T12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 85V пороговое напряжение - ток 120A мощность (Pd)  160W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.3mΩ @ VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP85T12
  • PDF NCEP85T12.pdf
Консультация
NCE30NP1812Q

NCE30NP1812Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30NP1812Q
  • КорпусDFN-8L(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение - ток N,18A-P,-12A мощность (Pd)  15W канал N and Pсопротивление в открытом состоянии N,24mΩ @ VGS=10V P,35mΩ @ VGS=-10V корпус DFN-8L(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30NP1812Q
  • PDF NCE30NP1812Q.pdf
Консультация
NCE01H10

NCE01H10-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01H10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение 4V@250uA ток 100A мощность (Pd)  200W канал Nсопротивление в открытом состоянии 13mΩ@10V,40A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01H10
  • PDF NCE01H10.pdf
Консультация
NCE2010E

NCE2010E-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2010E
  • КорпусTSSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение 900mV@250uA ток 7A мощность (Pd)  1.5W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии 18mΩ@4.5V,6.5A корпус TSSOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2010E
  • PDF NCE2010E.pdf
Консультация
NCE65T540I

NCE65T540I-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T540I
  • КорпусTO-251(IPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 8A мощность (Pd)  69W канал Nсопротивление в открытом состоянии 540mΩ@10V,4A корпус TO-251(IPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T540I
  • PDF NCE65T540I.pdf
Консультация
NCE65T900I

NCE65T900I-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T900I
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650 V пороговое напряжение - ток 5 A мощность (Pd)  46W канал Nсопротивление в открытом состоянии 750 mΩ корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T900I
  • PDF NCE65T900I.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 8990919293949596...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd