О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP18N10AK

NCEP18N10AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP18N10AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 42A мощность (Pd)  72W канал N сопротивление в открытом состоянии 15.5mΩ (typical) @VGS=10V корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP18N10AK
  • PDF NCEP18N10AK.pdf
Консультация
NCEP1545AK

NCEP1545AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP1545AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение 3.1V@250uA ток 45A мощность (Pd)  130W канал N сопротивление в открытом состоянии 24mΩ@10V,20A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP1545AK
  • PDF NCEP1545AK.pdf
Консультация
NCE60P04SN

NCE60P04SN-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P04SN
  • КорпусSOT-23-6L
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение -60V пороговое напряжение - ток -4A мощность (Pd)  1.5W канал P сопротивление в открытом состоянии 120mΩ @ VGS=-10V корпус SOT-23-6L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P04SN
  • PDF NCE60P04SN.pdf
Консультация
NCEP1520AK

NCEP1520AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP1520AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение - ток 20A мощность (Pd)  68W канал N сопротивление в открытом состоянии 56mΩ (typical) @ VGS=10V корпус  TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP1520AK
  • PDF NCEP1520AK.pdf
Консультация
NCE40H29D

NCE40H29D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40H29D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 290A мощность (Pd)  310W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.4mΩ@10V,20A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40H29D
  • PDF NCE40H29D.pdf
Консультация
NCE60ND08S

NCE60ND08S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60ND08S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение - ток 8A мощность (Pd)  2.1W канал N сопротивление в открытом состоянии 20mΩ @ VGS=10V (Typ:15.6mΩ) корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60ND08S
  • PDF NCE60ND08S.pdf
Консультация
NCE40P05S

NCE40P05S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40P05S
  • КорпусESOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение -40V пороговое напряжение - ток -5.3A мощность (Pd)  2W канал P сопротивление в открытом состоянии 80mΩ @ VGS=-10V корпус ESOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40P05S
  • PDF NCE40P05S.pdf
Консультация
NCE2007N

NCE2007N-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2007N
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 1.2V@250uA ток 6.5A мощность (Pd)  1.5W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии 22mΩ@4.5V,6A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2007N
  • PDF NCE2007N.pdf
Консультация
NCE55P30

NCE55P30-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE55P30
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение -55V пороговое напряжение - ток -30A мощность (Pd)  90W канал P сопротивление в открытом состоянии 40mΩ @ VGS=-10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE55P30
  • PDF NCE55P30.pdf
Консультация
NCEP035N72GU

NCEP035N72GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP035N72GU
  • КорпусDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 72V пороговое напряжение - ток 120A мощность (Pd)  90W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.4mΩ , typical @VGS=10V корпус DFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP035N72GU
  • PDF NCEP035N72GU.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 8889909192939495...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd