О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE3080IA

NCE3080IA-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3080IA
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V пороговое напряжение 1.4V@250uA ток 80A мощность (Pd)  83W канал Nсопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ@10V,30A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3080IA
  • PDF NCE3080IA.pdf
Консультация
NCE65T900F

NCE65T900F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T900F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 5A мощность (Pd)  29W канал N сопротивление в открытом состоянии 750mΩ@10V,2.5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T900F
  • PDF NCE65T900F.pdf
Консультация
NCE6075

NCE6075-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6075
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение 4V@250uA ток 75A мощность (Pd)  110W канал Nсопротивление в открытом состоянии 11.5mΩ@10V,30A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6075
  • PDF NCE6075.pdf
Консультация
NCE55P30F

NCE55P30F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE55P30F
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 -55V пороговое напряжение - ток -55V мощность (Pd)  30W канал Pсопротивление в открытом состоянии 40mΩ @ VGS=-10V корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE55P30F
  • PDF NCE55P30F.pdf
Консультация
NCE70T900I

NCE70T900I-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T900I
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение 4V@250uA ток 5A мощность (Pd)  46W канал N сопротивление в открытом состоянии 820mΩ@10V,2.5A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T900I
  • PDF NCE70T900I.pdf
Консультация
NCE4080D

NCE4080D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4080D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение - ток 80A мощность (Pd)  90W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ @ VGS=10V корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4080D
  • PDF NCE4080D.pdf
Консультация
NCE70T360K

NCE70T360K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T360K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 700 V пороговое напряжение - ток 11.5 A мощность (Pd)  101W канал N сопротивление в открытом состоянии 330 mΩ корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T360K
  • PDF NCE70T360K.pdf
Консультация
NCEP028N85

NCEP028N85-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP028N85
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 85V пороговое напряжение - ток 200A мощность (Pd)  245W канал Nсопротивление в открытом состоянии 2.55mΩ корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP028N85
  • PDF NCEP028N85.pdf
Консультация
NCE40H12I

NCE40H12I-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40H12I
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение 1.8V@250uA ток 120A мощность (Pd)  120W канал Nсопротивление в открытом состоянии 3.6mΩ@10V,20A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40H12I
  • PDF NCE40H12I.pdf
Консультация
NCEP020N30GU

NCEP020N30GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP020N30GU
  • КорпусDFN-8(5.8x4.9)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 100A мощность (Pd)  70W канал Nсопротивление в открытом состоянии 1.75mΩ@10V,50A корпус DFN-8(5.8x4.9) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP020N30GU
  • PDF NCEP020N30GU.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 9192939495969798...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd