О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
STL130N6F7

STL130N6F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL130N6F7
  • КорпусPowerFLAT-5x6
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL130N6F7корпус PowerFLAT-5x6тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)130Aмощность (Pd)4.8W;125Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.5mΩ@13A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)42nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2.6nF@…
  • PDF STL130N6F7.pdf
STL9P3LLH6

STL9P3LLH6-TI

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL9P3LLH6
  • КорпусPowerFLAT(3.3x3.3)
  • ПроизводительTI
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL9P3LLH6корпус PowerFLAT(3.3x3.3)тип 1个Pканал напряжение сток-исток (Vdss)30Vпостоянный ток стока (Id)9Aмощность (Pd)3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15mΩ@4.5A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)24nC@4.5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2.615nF@25…
  • PDF STL9P3LLH6.pdf
STD25N10F7

STD25N10F7-TI

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD25N10F7
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительTI
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD25N10F7корпус TO-252-2(DPAK)тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)25Aмощность (Pd)40Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)35mΩ@10V,12.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)14nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)920pF@50V…
  • PDF STD25N10F7.pdf
STF13NM60N

STF13NM60N-TI

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF13NM60N
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительTI
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF13NM60Nкорпус TO-220F-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)11Aмощность (Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)360mΩ@10V,5.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA
  • PDF STF13NM60N.pdf
STF24N60M2

STF24N60M2-TI

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF24N60M2
  • КорпусTO-220FP
  • ПроизводительTI
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF24N60M2корпус TO-220FPтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)18Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)190mΩ@10V,9Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)29nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.06nF@100Vрабочая температура …
  • PDF STF24N60M2.pdf
STN2NF10

STN2NF10-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN2NF10
  • КорпусSOT-223-4
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN2NF10корпус SOT-223-4тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)2.4Aмощность (Pd)3.3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)260mΩ@10V,1.2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)14nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)280pF@25Vрабочая температура …
  • PDF STN2NF10.pdf
STD6N95K5

STD6N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD6N95K5
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD6N95K5корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)9Aмощность (Pd)90Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.25Ω@10V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)13nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)450pF@100Vрабочая температура -55℃~+…
  • PDF STD6N95K5.pdf
STF14N80K5

STF14N80K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF14N80K5
  • КорпусTO-220FP
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF14N80K5корпус TO-220FPтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)12Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)445mΩ@6A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)22nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)620pF@100Vрабочая температура -…
  • PDF STF14N80K5.pdf
STD35P6LLF6

STD35P6LLF6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD35P6LLF6
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD35P6LLF6корпус TO-252-2(DPAK)тип 1个Pканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)35Aмощность (Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)28mΩ@10V,17.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)30nC@4.5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)3.78nF@2…
  • PDF STD35P6LLF6.pdf
STD17NF03LT4

STD17NF03LT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD17NF03LT4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD17NF03LT4корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)30Vпостоянный ток стока (Id)17Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)50mΩ@10V,8.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.2V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)6.5nC@5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)320pF@25Vрабочая температура -5…
  • PDF STD17NF03LT4.pdf
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd