О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
MEM2301XG

MEM2301XG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2301XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.8A мощность (Pd) 700mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@4.5V,2.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONEMicrone MEM2301XG 系列 MEM2301
  • PDF MEM2301XG.pdf
MEM2302XG

MEM2302XG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2302XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 850mV@250uA ток 3A мощность (Pd) 700mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONEMicrone MEM2302XG 系列 MEM2302
  • PDF MEM2302XG.pdf
MEM2310XG

MEM2310XG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2310XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 1.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONEMicrone MEM2310XG 系列 MEM2310
  • PDF MEM2310XG.pdf
MEM2303M3G

MEM2303M3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2303M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 58mΩ@10V,4.2A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONEMicrone MEM2303M3G 系列 MEM2303
  • PDF MEM2303M3G.pdf
MEM2310M3G

MEM2310M3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2310M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 1.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 30mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONEMicrone MEM2310M3G 系列 MEM2310
  • PDF MEM2310M3G.pdf
MEM2302M3G

MEM2302M3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2302M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 850mV@250uA ток 3A мощность (Pd) 700mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONEMicrone MEM2302M3G 系列 MEM2302
  • PDF MEM2302M3G.pdf
MEM2307XG

MEM2307XG-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2307XG
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 4.1A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 88mΩ@10V,4.1A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONEMicrone MEM2307XG 系列 MEM2307
  • PDF MEM2307XG.pdf
MEM2307M3G

MEM2307M3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2307M3G
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 4.1A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 88mΩ@10V,4.1A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONEMicrone MEM2307M3G 系列 MEM2307
  • PDF MEM2307M3G.pdf
MEM2302XG-N

MEM2302XG-N-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2302XG-N
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 850mV@250uA ток 3A мощность (Pd) 700mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,3A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONEMicrone MEM2302XG-N 系列 MEM2302
  • PDF MEM2302XG-N.pdf
MEM2402K3G

MEM2402K3G-MICRONE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельMEM2402K3G
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительMICRONE
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.2V@250uA ток 15A мощность (Pd) 23W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 36mΩ@10V,12A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд MICRONEMicrone MEM2402K3G 系列 MEM2402
  • PDF MEM2402K3G.pdf
Всего записей: 1180«Предыдущая1234...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd