О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE6045XG

NCE6045XG-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6045XG
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение - ток 45A мощность (Pd)  60W канал N сопротивление в открытом состоянии 7.4mΩ (typical) @VGS=10V корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6045XG
  • PDF NCE6045XG.pdf
Консультация
NCE1570

NCE1570-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE1570
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение 3V@250uA ток 70A мощность (Pd)  310W канал N сопротивление в открытом состоянии 14mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE1570
  • PDF NCE1570.pdf
Консультация
NCEP080N10

NCEP080N10-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP080N10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 75A мощность (Pd)  120W канал N сопротивление в открытом состоянии 7.4mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP080N10
  • PDF NCEP080N10.pdf
Консультация
NCE6003M

NCE6003M-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6003M
  • КорпусSOT-89-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 1.3V@250uA ток 3A мощность (Pd)  1.7W канал N сопротивление в открытом состоянии 73mΩ@10V,3A корпус SOT-89-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6003M
  • PDF NCE6003M.pdf
Консультация
NCE0157

NCE0157-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0157
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 3V@250uA ток 57A мощность (Pd)  170W канал N сопротивление в открытом состоянии 12mΩ@10V,28A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0157
  • PDF NCE0157.pdf
Консультация
NCEP02T10T

NCEP02T10T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP02T10T
  • КорпусTO-247-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение - ток 100A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 12mΩ @ VGS=10V корпус TO-247-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP02T10T
  • PDF NCEP02T10T.pdf
Консультация
NCE65T130F

NCE65T130F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T130F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650 V пороговое напряжение - ток 28 A мощность (Pd)  35W канал N сопротивление в открытом состоянии 110 mΩ корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T130F
  • PDF NCE65T130F.pdf
Консультация
NCE0130A

NCE0130A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0130A
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 30A мощность (Pd)  85W канал N сопротивление в открытом состоянии 32mΩ @ VGS=10V (Typ:25mΩ) корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0130A
  • PDF NCE0130A.pdf
Консультация
NCE0140AK2

NCE0140AK2-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0140AK2
  • КорпусTO-252-2L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 40A мощность (Pd)  140W канал N сопротивление в открытом состоянии 17mΩ @ VGS=10V (Typ:14mΩ) корпус TO-252-2L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0140AK2
  • PDF NCE0140AK2.pdf
Консультация
NCE6080AK

NCE6080AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6080AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение - ток 80A мощность (Pd)  110W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.5mΩ (typical) @ VGS=10V корпус  TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6080AK
  • PDF NCE6080AK.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 9091929394959697...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd