О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE70T1K2I

NCE70T1K2I-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T1K2I
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 700V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd)  41W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.1Ω@10V,2A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T1K2I
  • PDF NCE70T1K2I.pdf
Консультация
NCEP060N10D

NCEP060N10D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP060N10D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 100A мощность (Pd)  140W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.4mΩ корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP060N10D
  • PDF NCEP060N10D.pdf
Консультация
NCEP055N10D

NCEP055N10D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP055N10D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 110A мощность (Pd)  150W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.2mΩ корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP055N10D
  • PDF NCEP055N10D.pdf
Консультация
NCEP12N12

NCEP12N12-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP12N12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 120V пороговое напряжение - ток 63A мощность (Pd)  100W канал N сопротивление в открытом состоянии 11.5mΩ корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP12N12
  • PDF NCEP12N12.pdf
Консультация
NCEP040N12

NCEP040N12-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP040N12
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 120V пороговое напряжение - ток 150A мощность (Pd)  245W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.5mΩ корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP040N12
  • PDF NCEP040N12.pdf
Консультация
NCEP040N12D

NCEP040N12D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP040N12D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 120V пороговое напряжение - ток 150A мощность (Pd)  245W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.3mΩ корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP040N12D
  • PDF NCEP040N12D.pdf
Консультация
NCEP025N12LL

NCEP025N12LL-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP025N12LL
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 120V пороговое напряжение - ток 255A мощность (Pd)  400W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.85mΩ , typical@ VGS=10V корпус TOLL MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP025N12LL
  • PDF NCEP025N12LL.pdf
Консультация
NCE70T1K2F

NCE70T1K2F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T1K2F
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 700 V пороговое напряжение - ток 4 A мощность (Pd)  28.4W канал N сопротивление в открытом состоянии 1100 mΩ корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T1K2F
  • PDF NCE70T1K2F.pdf
Консультация
NCE0140I2

NCE0140I2-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0140I2
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 40A мощность (Pd)  140W канал N сопротивление в открытом состоянии 15mΩ @ VGS=10V корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0140I2
  • PDF NCE0140I2.pdf
Консультация
STB15810

STB15810-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB15810
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB15810 корпус D2PAK тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)100V постоянный ток стока (Id)110A мощность (Pd)250W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.4mΩ@10V,55A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)117nC@0~10V входная ёмкость (Ciss@Vds)8.115nF@50V
  • PDF STB15810.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 93949596979899100...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd