О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
STFW3N150

STFW3N150-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTFW3N150
  • КорпусTO-3PF
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STFW3N150 корпус TO-3PF тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)1.5kV постоянный ток стока (Id)2.5A мощность (Pd)63W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)9Ω@10V,1.3A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)29.3nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)939pF@25V
  • PDF STFW3N150.pdf
Консультация
STL90N10F7

STL90N10F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTL90N10F7
  • КорпусPowerFLAT-8(5x6)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL90N10F7 корпус PowerFLAT-8(5x6)тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)100V постоянный ток стока (Id)70A мощность (Pd)5W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)10.5mΩ@10V,8A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA
  • PDF STL90N10F7.pdf
Консультация
STP75NF75

STP75NF75-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP75NF75
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP75NF75 корпус TO-220 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)75V постоянный ток стока (Id)80A мощность (Pd)300W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)11mΩ@10V,40A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)160nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)3.7nF@25V рабочая температура -55℃…
  • PDF STP75NF75.pdf
Консультация
STP110N8F6

STP110N8F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP110N8F6
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP110N8F6 корпус TO-220 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)80V постоянный ток стока (Id)110A мощность (Pd)200W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)6.5mΩ@10V,55A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)150nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)9.13nF@40V рабочий
  • PDF STP110N8F6.pdf
Консультация
STW26NM60N

STW26NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW26NM60N
  • КорпусTO-247AC-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW26NM60N корпус TO-247AC-3 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)600V постоянный ток стока (Id)20A мощность (Pd)140W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)165mΩ@10V,10A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA
  • PDF STW26NM60N.pdf
Консультация
STN3NF06L

STN3NF06L-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN3NF06L
  • КорпусSOT-223-4
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN3NF06L корпус SOT-223-4 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)60V постоянный ток стока (Id)4A мощность (Pd)3.3W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)100mΩ@10V,1.5A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.8V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)9nC@5V входная ёмкость (Ciss@Vds)340pF@25V рабочая температура -…
  • PDF STN3NF06L.pdf
Консультация
STW33N60M2

STW33N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW33N60M2
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW33N60M2 корпус TO-247-3 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)600V постоянный ток стока (Id)26A мощность (Pd)190W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)125mΩ@10V,13A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)45.5nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)1.781nF@100V рабочий …
  • PDF STW33N60M2.pdf
Консультация
STP26NM60N

STP26NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP26NM60N
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP26NM60N корпус TO-220 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)600V постоянный ток стока (Id)20A мощность (Pd)140W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)165mΩ@10V,10A пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)60nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)1.8nF@50V
  • PDF STP26NM60N.pdf
Консультация
STN4NF20L

STN4NF20L-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN4NF20L
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN4NF20L корпус SOT-223 тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)200V постоянный ток стока (Id)1A мощность (Pd)3.3W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.5Ω@10V,500mA пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)3V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)900pC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)150pF@25V рабочая температура -…
  • PDF STN4NF20L.pdf
Консультация
STB24N60DM2

STB24N60DM2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB24N60DM2
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель ST категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB24N60DM2 корпус D2PAK тип 1 N канал напряжение сток-исток (Vdss)600V постоянный ток стока (Id)18A мощность (Pd)150W сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)200mΩ@9A,10V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uA заряд затвора (Qg@Vgs)29nC@10V входная ёмкость (Ciss@Vds)1.055nF@100V рабочая температура …
  • PDF STB24N60DM2.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 949596979899100101...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd