О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE5080K

NCE5080K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE5080K
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 80A мощность (Pd)  100W канал N сопротивление в открытом состоянии 7.5mΩ@10V,20A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE5080K
  • PDF NCE5080K.pdf
Консультация
NCEP1545G

NCEP1545G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP1545G
  • КорпусPDFN-8(5x5)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение - ток 45A мощность (Pd)  110W канал N сопротивление в открытом состоянии 24mΩ (typical) @ VGS=10V корпус PDFN-8(5x5) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP1545G
  • PDF NCEP1545G.pdf
Консультация
NCE3404Y

NCE3404Y-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3404Y
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 5.8A мощность (Pd)  1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии 23mΩ@10V,5A корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3404Y
  • PDF NCE3404Y.pdf
Консультация
NCEP023N10T

NCEP023N10T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP023N10T
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 3V@250uA ток 280A мощность (Pd)  365W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.85mΩ@10V,140A корпус TO-247-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP023N10T
  • PDF NCEP023N10T.pdf
Консультация
NCE65T680K

NCE65T680K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T680K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 7A мощность (Pd)  60W канал N сопротивление в открытом состоянии 680mΩ@10V,3.5A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T680K
  • PDF NCE65T680K.pdf
Консультация
NCE3095G

NCE3095G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3095G
  • КорпусDFN-8(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток 95A мощность (Pd)  80W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.1mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3095G
  • PDF NCE3095G.pdf
Консультация
NCE65T360F

NCE65T360F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T360F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 11.5A мощность (Pd)  32.6W канал N сопротивление в открытом состоянии 360mΩ@10V,7A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T360F
  • PDF NCE65T360F.pdf
Консультация
NCE2333Y

NCE2333Y-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2333Y
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 12V пороговое напряжение 1V@250uA ток 6A мощность (Pd)  1.8W канал P сопротивление в открытом состоянии 30mΩ@4.5V,6A корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2333Y
  • PDF NCE2333Y.pdf
Консультация
NCEP0140AG

NCEP0140AG-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP0140AG
  • КорпусPDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 40A мощность (Pd)  50W канал N сопротивление в открытом состоянии 18mΩ (typical) @ VGS=10V корпус PDFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP0140AG
  • PDF NCEP0140AG.pdf
Консультация
NCE30P28Q

NCE30P28Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30P28Q
  • КорпусPDFN-8(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение -30V пороговое напряжение - ток -28A мощность (Pd)  40W канал P сопротивление в открытом состоянии 9mΩ @ VGS=-10V корпус PDFN-8(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30P28Q
  • PDF NCE30P28Q.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 6869707172737475...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd