О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP1545K

NCEP1545K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP1545K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение - ток 45A мощность (Pd)  130W канал N сопротивление в открытом состоянии 24mΩ (typical) @ VGS=10V корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP1545K
  • PDF NCEP1545K.pdf
Консультация
NCE65T260F

NCE65T260F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T260F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 15A мощность (Pd)  33.2W канал N сопротивление в открытом состоянии 260mΩ@10V,8A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T260F
  • PDF NCE65T260F.pdf
Консультация
NCE30D2519K

NCE30D2519K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30D2519K
  • КорпусTO-252-4
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2V@250uA ток N,25A-P.-19A мощность (Pd)  21W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии 8.5mΩ@10V,7A корпус TO-252-4 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30D2519K
  • PDF NCE30D2519K.pdf
Консультация
NCEP02580D

NCEP02580D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP02580D
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 250V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 80A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 16mΩ@10V,40A корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP02580D
  • PDF NCEP02580D.pdf
Консультация
NCEP6050AQU

NCEP6050AQU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP6050AQU
  • КорпусDFN-8L(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение - ток 50A мощность (Pd)  60W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ (typical) @VGS=10V корпус DFN-8L(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP6050AQU
  • PDF NCEP6050AQU.pdf
Консультация
NCE30D2519K

NCE30D2519K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30D2519K
  • КорпусTO-252-4
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2V@250uA ток N,25A-P,-19A мощность (Pd)  21W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии 8.5mΩ@10V,7A корпус TO-252-4 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30D2519K
  • PDF NCE30D2519K.pdf
Консультация
NCE4012S

NCE4012S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4012S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 12A мощность (Pd)  3W канал N сопротивление в открытом состоянии 12mΩ@10V,10A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4012S
  • PDF NCE4012S.pdf
Консультация
NCE65T180T

NCE65T180T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T180T
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 21A мощность (Pd)  188W канал N сопротивление в открытом состоянии 150mΩ@10V,10.5A корпус TO-247-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T180T
  • PDF NCE65T180T.pdf
Консультация
NCE3008M

NCE3008M-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3008M
  • КорпусSOT-89-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 8A мощность (Pd)  3.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 19.8mΩ@10V,8A корпус SOT-89-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3008M
  • PDF NCE3008M.pdf
Консультация
NCE3090K

NCE3090K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3090K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 90A мощность (Pd)  105W канал N сопротивление в открытом состоянии 5.8mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3090K
  • PDF NCE3090K.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 6566676869707172...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd