О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE0117K

NCE0117K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0117K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 17A мощность (Pd)  55W канал N сопротивление в открытом состоянии 70mΩ@10V,5A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0117K
  • PDF NCE0117K.pdf
Консультация
NCE55P05S

NCE55P05S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE55P05S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 55V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 5A мощность (Pd)  3W канал P сопротивление в открытом состоянии 80mΩ@10V,5A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE55P05S
  • PDF NCE55P05S.pdf
Консультация
NCE609

NCE609-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE609
  • КорпусTO-252-4
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток N,21A-P,-14A мощность (Pd)  40W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии 14mΩ@10V,10A корпус TO-252-4 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE609
  • PDF NCE609.pdf
Консультация
NCEP40P80K

NCEP40P80K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40P80K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение -40V пороговое напряжение - ток -80A мощность (Pd)  150W канал P сопротивление в открытом состоянии 5.6mΩ (typical) @ VGS=-10V корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40P80K
  • PDF NCEP40P80K.pdf
Консультация
NCE8295AK

NCE8295AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE8295AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 82V пороговое напряжение - ток 95A мощность (Pd)  170W канал N сопротивление в открытом состоянии 8.0 mΩ @ VGS=10V (Typ:6.6mΩ) корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE8295AK
  • PDF NCE8295AK.pdf
Консультация
NCEP02T10

NCEP02T10-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP02T10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 100A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 10mΩ@10V,50A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP02T10
  • PDF NCEP02T10.pdf
Консультация
NCEP40P80G

NCEP40P80G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40P80G
  • КорпусDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение -40V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток -80A мощность (Pd)  75W канал P сопротивление в открытом состоянии 6.3mΩ (typical) @ VGS=-10V корпус DFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40P80G
  • PDF NCEP40P80G.pdf
Консультация
NCE6020AI

NCE6020AI-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6020AI
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 20A мощность (Pd)  45W канал N сопротивление в открытом состоянии 35mΩ@10V,20A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6020AI
  • PDF NCE6020AI.pdf
Консультация
NCE2312

NCE2312-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2312
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 1.2V@250uA ток 4.5A мощность (Pd)  1.25W канал N сопротивление в открытом состоянии 33mΩ@4.5V,4.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2312
  • PDF NCE2312.pdf
Консультация
2N7002K

2N7002K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002K
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 1.9V@250uA ток 300mA мощность (Pd)  350mW канал N сопротивление в открытом состоянии 3Ω@5V,400mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул 2N7002K
  • PDF 2N7002K.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 6465666768697071...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd