О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE20P70G

NCE20P70G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE20P70G
  • КорпусPDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 600mV@250uA ток 70A мощность (Pd)  130W канал P сопротивление в открытом состоянии 2.3mΩ@4.5V,20A корпус PDFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE20P70G
  • PDF NCE20P70G.pdf
Консультация
NCE60P12AS

NCE60P12AS-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P12AS
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение -60V пороговое напряжение - ток -12A мощность (Pd)  3.5W канал P сопротивление в открытом состоянии 14mΩ @ VGS=-10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P12AS
  • PDF NCE60P12AS.pdf
Консультация
NCE3080KA

NCE3080KA-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3080KA
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.4V@250uA ток 80A мощность (Pd)  83W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.5mΩ@10V,30A корпус  TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3080KA
  • PDF NCE3080KA.pdf
Консультация
NCE6003XY

NCE6003XY-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6003XY
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение - ток 3A мощность (Pd)  1.7W канал N сопротивление в открытом состоянии 90mΩ @ VGS=10V корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6003XY
  • PDF NCE6003XY.pdf
Консультация
NCE65TF130

NCE65TF130-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF130
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 28A мощность (Pd)  260W канал N сопротивление в открытом состоянии 110mΩ@10V,14A корпус  TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF130
  • PDF NCE65TF130.pdf
Консультация
NCE6005AN

NCE6005AN-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6005AN
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 1.6V@250uA ток 5A мощность (Pd)  2W канал N сопротивление в открытом состоянии 26mΩ@10V,5A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6005AN
  • PDF NCE6005AN.pdf
Консультация
NCE0224

NCE0224-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0224
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение 3.2V@250uA ток 24A мощность (Pd)  150W канал N сопротивление в открытом состоянии 64mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0224
  • PDF NCE0224.pdf
Консультация
NCE3420

NCE3420-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3420
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 1V@250uA ток 6A мощность (Pd)  1.25W канал N сопротивление в открытом состоянии 28mΩ@4.5V,5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3420
  • PDF NCE3420.pdf
Консультация
NCE2305A

NCE2305A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2305A
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 12V пороговое напряжение 700mV@250uA ток 4.1A мощность (Pd)  1.7W канал P сопротивление в открытом состоянии 30mΩ@4.5V,4.1A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2305A
  • PDF NCE2305A.pdf
Консультация
NCE2304

NCE2304-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2304
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 3.6A мощность (Pd)  1.7W канал N сопротивление в открытом состоянии 58mΩ@10A,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2304
  • PDF NCE2304.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 6768697071727374...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd