О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE65T180F

NCE65T180F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T180F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 21A мощность (Pd)  33.8W канал N сопротивление в открытом состоянии 180mΩ@10V,10.5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T180F
  • PDF NCE65T180F.pdf
Консультация
NCE2303

NCE2303-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2303
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 2A мощность (Pd)  1W канал P сопротивление в открытом состоянии 130mΩ@10V,2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2303
  • PDF NCE2303.pdf
Консультация
NCEP033N10D

NCEP033N10D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP033N10D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 100V пороговое напряжение 3V@250uA ток 160A мощность (Pd)  245W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.7mΩ@10V,80A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP033N10D
  • PDF NCEP033N10D.pdf
Консультация
NCE0125AK

NCE0125AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0125AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 1.2V@250uA ток 25A мощность (Pd)  70W канал N сопротивление в открытом состоянии 28mΩ@10V,15A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0125AK
  • PDF NCE0125AK.pdf
Консультация
NCEP020N10LL

NCEP020N10LL-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP020N10LL
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 330A мощность (Pd)  400W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.5mΩ , typical @ VGS=10V корпус TOLL MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP020N10LL
  • PDF NCEP020N10LL.pdf
Консультация
NCE65TF099T

NCE65TF099T-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF099T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение - ток 38A мощность (Pd)  322W канал N сопротивление в открытом состоянии 89mΩ корпус TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF099T
  • PDF NCE65TF099T.pdf
Консультация
NCEP6090AGU

NCEP6090AGU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP6090AGU
  • КорпусPDFN-8(5.2x6.2)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение - ток 90A мощность (Pd)  100W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.8mΩ (typical) @ VGS=10V корпус PDFN-8(5.2x6.2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP6090AGU
  • PDF NCEP6090AGU.pdf
Консультация
NCEP4065QU

NCEP4065QU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP4065QU
  • КорпусDFN-8(3.1x3.2)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение - ток 65A мощность (Pd)  55W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.2mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8(3.1x3.2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP4065QU
  • PDF NCEP4065QU.pdf
Консультация
NCE60H10

NCE60H10-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60H10
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.85V@250uA ток 100A мощность (Pd)  170W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.8mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60H10
  • PDF NCE60H10.pdf
Консультация
NCE60P50

NCE60P50-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P50
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 50A мощность (Pd)  95W канал P сопротивление в открытом состоянии 28mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P50
  • PDF NCE60P50.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 7071727374757677...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd