О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE0202M

NCE0202M-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0202M
  • КорпусSOT-89-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение 1.8V@250uA ток 2A мощность (Pd)  1.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 520mΩ@10V,2A корпус SOT-89-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0202M
  • PDF NCE0202M.pdf
Консультация
NCE65TF130F

NCE65TF130F-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65TF130F
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 28A мощность (Pd)  35W канал N сопротивление в открытом состоянии 130mΩ@10V,14A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65TF130F
  • PDF NCE65TF130F.pdf
Консультация
NCEP040N10D

NCEP040N10D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP040N10D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 3V@250uA ток 130A мощность (Pd)  210W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.55mΩ@10V65A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP040N10D
  • PDF NCEP040N10D.pdf
Консультация
NCE0140K2

NCE0140K2-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0140K2
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 3V@250uA ток 40A мощность (Pd)  140W канал N сопротивление в открытом состоянии 14.5mΩ@10V,28A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0140K2
  • PDF NCE0140K2.pdf
Консультация
NCE60P09S

NCE60P09S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P09S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение -60V пороговое напряжение - ток -9A мощность (Pd)  3W канал P сопротивление в открытом состоянии 38mΩ @ VGS=-10V корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P09S
  • PDF NCE60P09S.pdf
Консультация
NCE9926

NCE9926-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE9926
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 1.2V@250uA ток 6A мощность (Pd)  1.25W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии 28mΩ@4.5V,6A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE9926
  • PDF NCE9926.pdf
Консультация
NCE6045G

NCE6045G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6045G
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение - ток 45A мощность (Pd)  60W канал N сопротивление в открытом состоянии 13mΩ @ VGS=10V корпус DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6045G
  • PDF NCE6045G.pdf
Консультация
NCEP15T14

NCEP15T14-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP15T14
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение 4V@250uA ток 140A мощность (Pd)  320W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.2mΩ@10V,70A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP15T14
  • PDF NCEP15T14.pdf
Консультация
NCE6012AS

NCE6012AS-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6012AS
  • КорпусSOP-8-4.0mm
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 1.8V@250uA ток 12A мощность (Pd)  3W канал N сопротивление в открытом состоянии 11mΩ@10V,12A корпус SOP-8-4.0mm MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6012AS
  • PDF NCE6012AS.pdf
Консультация
NCEP039N10D

NCEP039N10D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP039N10D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 135A мощность (Pd)  220W канал N сопротивление в открытом состоянии 3.5mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP039N10D
  • PDF NCEP039N10D.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 6667686970717273...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd