О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP02T10D

NCEP02T10D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP02T10D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 100A мощность (Pd)  300W канал N сопротивление в открытом состоянии 10mΩ@10V,50A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP02T10D
  • PDF NCEP02T10D.pdf
Консультация
NCE6990K

NCE6990K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6990K
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 69V пороговое напряжение - ток 90A мощность (Pd)  160W канал N сопротивление в открытом состоянии 7.0mΩ @ VGS=10V (Typ:5.7mΩ) корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6990K
  • PDF NCE6990K.pdf
Консультация
NCE30H15K

NCE30H15K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H15K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 150A мощность (Pd)  130W канал N сопротивление в открытом состоянии 4mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H15K
  • PDF NCE30H15K.pdf
Консультация
NCE65T1K2K

NCE65T1K2K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T1K2K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd)  41W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.1Ω@10V,2A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T1K2K
  • PDF NCE65T1K2K.pdf
Консультация
NCE0208KA

NCE0208KA-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0208KA
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение - ток 8A мощность (Pd)  55W канал N сопротивление в открытом состоянии 300mΩ @ VGS=10V( Typ: 260mΩ) корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0208KA
  • PDF NCE0208KA.pdf
Консультация
NCE65T180

NCE65T180-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T180
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 21A мощность (Pd)  188W канал N сопротивление в открытом состоянии 150mΩ@10V,10.5A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE65T180
  • PDF NCE65T180.pdf
Консультация
NCE30H12K

NCE30H12K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30H12K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 120A мощность (Pd)  120W канал N сопротивление в открытом состоянии 4.5mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30H12K
  • PDF NCE30H12K.pdf
Консультация
NCEP092N10AS

NCEP092N10AS-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP092N10AS
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 1.7V@250uA ток 14A мощность (Pd)  3.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 8.4mΩ@10V,14A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP092N10AS
  • PDF NCEP092N10AS.pdf
Консультация
NCEP028N12LL

NCEP028N12LL-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP028N12LL
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 120V пороговое напряжение - ток 230A мощность (Pd)  380W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.0mΩ , typical@ VGS=10V корпус TOLL MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP028N12LL
  • PDF NCEP028N12LL.pdf
Консультация
NCEP1580

NCEP1580-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP1580
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 150V пороговое напряжение 4.5V@250uA ток 80A мощность (Pd)  210W канал N сопротивление в открытом состоянии 10.4mΩ@10V,40A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP1580
  • PDF NCEP1580.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 7172737475767778...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd