О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP1520

NCEP1520-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP1520
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 150V пороговое напряжение 3.3V@250uA ток 20A мощность (Pd)  68W канал N сопротивление в открытом состоянии 59mΩ@10V,10A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP1520
  • PDF NCEP1520.pdf
Консультация
NCEP3065QU

NCEP3065QU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP3065QU
  • КорпусDFN-8(3.3x3.3)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 65A мощность (Pd)  55W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.9mΩ@10V,20A корпус DFN-8(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP3065QU
  • PDF NCEP3065QU.pdf
Консультация
NCE0110AK

NCE0110AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0110AK
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение - ток 10A мощность (Pd)  40W канал N сопротивление в открытом состоянии 130mΩ @ VGS=10V корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0110AK
  • PDF NCE0110AK.pdf
Консультация
NCE3035Q

NCE3035Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3035Q
  • КорпусDFN-8(3x3)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 35A мощность (Pd)  35W канал N сопротивление в открытом состоянии 7mΩ@10V,12A корпус DFN-8(3x3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3035Q
  • PDF NCE3035Q.pdf
Консультация
NCE6008AS

NCE6008AS-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6008AS
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 8A мощность (Pd)  2.1W канал N сопротивление в открытом состоянии 20mΩ@10V,8A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6008AS
  • PDF NCE6008AS.pdf
Консультация
NCE2003

NCE2003-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2003
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток N,3A-P,-3A мощность (Pd)  2.1W канал N and P сопротивление в открытом состоянии N,35mΩ @ VGS=4.5V -P, 75mΩ @ VGS=-4.5V корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE2003
  • PDF NCE2003.pdf
Консультация
NCE8295A

NCE8295A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE8295A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 82V пороговое напряжение 4V@250uA ток 95A мощность (Pd)  170W канал N сопротивление в открытом состоянии 8mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE8295A
  • PDF NCE8295A.pdf
Консультация
NCEP40T14G

NCEP40T14G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T14G
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение - ток 140A мощность (Pd)  133W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.6mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T14G
  • PDF NCEP40T14G.pdf
Консультация
NCEP035N60AG

NCEP035N60AG-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP035N60AG
  • КорпусDFN-8L(5x6)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 60V пороговое напряжение - ток 110A мощность (Pd)  85W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.8mΩ (typical) @ VGS=10V корпус DFN-8L(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP035N60AG
  • PDF NCEP035N60AG.pdf
Консультация
NCEP6090K

NCEP6090K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP6090K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 3V@250uA ток 90A мощность (Pd)  100W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.4mΩ@10V,45A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP6090K
  • PDF NCEP6090K.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 6970717273747576...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd