О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE40P05Y

NCE40P05Y-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40P05Y
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 3V@250uA ток 5.3A мощность (Pd)  2W канал P сопротивление в открытом состоянии 85mΩ@10V,5A корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40P05Y
  • PDF NCE40P05Y.pdf
Консультация
NCE3401AY

NCE3401AY-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3401AY
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.3V@250uA ток 4.4A мощность (Pd)  1.3W канал P сопротивление в открытом состоянии 52mΩ@10V,4.2A корпус  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3401AY
  • PDF NCE3401AY.pdf
Консультация
NCE60P12K

NCE60P12K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P12K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 12A мощность (Pd)  60W канал P сопротивление в открытом состоянии 100mΩ@10V,12A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P12K
  • PDF NCE60P12K.pdf
Консультация
NCE0103M

NCE0103M-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0103M
  • КорпусSOT-89-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 2V@250uA ток 3A мощность (Pd)  1.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 160mΩ@10V,3A корпус SOT-89-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0103M
  • PDF NCE0103M.pdf
Консультация
NCE4435

NCE4435-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4435
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 9.1A мощность (Pd)  3.1W канал P сопротивление в открытом состоянии 20mΩ@10V,9.1A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4435
  • PDF NCE4435.pdf
Консультация
NCE01P18K

NCE01P18K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01P18K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 3V@250uA ток 18A мощность (Pd)  70W канал P сопротивление в открытом состоянии 100mΩ@10V,16A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE01P18K
  • PDF NCE01P18K.pdf
Консультация
NCE4060K

NCE4060K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4060K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 60A мощность (Pd)  65W канал N сопротивление в открытом состоянии 13mΩ@10V,20A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4060K
  • PDF NCE4060K.pdf
Консультация
NCEP40T11G

NCEP40T11G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T11G
  • КорпусDFN-8(5.7x5.1)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 110A мощность (Pd)  75W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.8mΩ@10V,55A корпус DFN-8(5.7x5.1) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40T11G
  • PDF NCEP40T11G.pdf
Консультация
NCE6003Y

NCE6003Y-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6003Y
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2V@250uA ток 3A мощность (Pd)  1.7W канал N сопротивление в открытом состоянии 105mΩ@10V,3A корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6003Y
  • PDF NCE6003Y.pdf
Консультация
NCE0106R

NCE0106R-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0106R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 6A мощность (Pd)  3W канал N сопротивление в открытом состоянии 140mΩ@10V,5A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0106R
  • PDF NCE0106R.pdf
Консультация
NCE30P20Q

NCE30P20Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE30P20Q
  • КорпусPDFN3333-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 20A мощность (Pd)  35W канал P сопротивление в открытом состоянии 11.5mΩ@10V,15A корпус PDFN3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE30P20Q
  • PDF NCE30P20Q.pdf
Консультация
NCE0103Y

NCE0103Y-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0103Y
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение 2V@250uA ток 3A мощность (Pd)  1.5W канал N сопротивление в открытом состоянии 160mΩ@10V,3A корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE0103Y
  • PDF NCE0103Y.pdf
Консультация
NCE60P10K

NCE60P10K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P10K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 10A мощность (Pd)  45W канал P сопротивление в открытом состоянии 106mΩ@10V,10A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P10K
  • PDF NCE60P10K.pdf
Консультация
NCE6050A

NCE6050A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6050A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 1.9V@250uA ток 50A мощность (Pd)  85W канал N сопротивление в открытом состоянии 14mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6050A
  • PDF NCE6050A.pdf
Консультация
NCE7560K

NCE7560K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE7560K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 75V пороговое напряжение 4V@250uA ток 60A мощность (Pd)  140W канал N сопротивление в открытом состоянии 8.5mΩ@10V,30A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE7560K
  • PDF NCE7560K.pdf
Консультация
NCE3050K

NCE3050K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3050K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение 3V@250uA ток 50A мощность (Pd)  60W канал N сопротивление в открытом состоянии 11mΩ@10V,25A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3050K
  • PDF NCE3050K.pdf
Консультация
NCE4009S

NCE4009S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4009S
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2V@250uA ток 9A мощность (Pd)  2W канал N сопротивление в открытом состоянии 16mΩ@10V,8A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE4009S
  • PDF NCE4009S.pdf
Консультация
NCEP60T12AK

NCEP60T12AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP60T12AK
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.4V@250uA ток 120A мощность (Pd)  180W канал N сопротивление в открытом состоянии 4mΩ@10V,60A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP60T12AK
  • PDF NCEP60T12AK.pdf
Консультация
NCE60P04R

NCE60P04R-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P04R
  • КорпусSOT-223-3
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 2.2V@250uA ток 4.3A мощность (Pd)  3.1W канал P сопротивление в открытом состоянии 106mΩ@10V,4A корпус SOT-223-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE60P04R
  • PDF NCE60P04R.pdf
Консультация
NCE40P13S

NCE40P13S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40P13S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение 2.5V@250uA ток 13A мощность (Pd)  2.5W канал P сопротивление в открытом состоянии 15mΩ@10V,12A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE40P13S
  • PDF NCE40P13S.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая12345...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd