О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > NCE(无锡新洁能)
NCE(无锡新洁能)

NCE(无锡新洁能)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)IGBT-транзистор /модуль
Мультивыбор
Корпус：
DFN(5x6)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2x2-6LESOP-8FDFN-8L(5x6)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN3333-8SO-8SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-23SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-89-3SOT-89-3LTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220FTO-220F-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-4TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-7LTO-3P-3TO-92-2.5mmTOLLTSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP4045GU

NCEP4045GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP4045GU
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V 阈值电压 1.6V@250uA 电流 45A 功率(Pd)  28W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 6mΩ@10V,20A 封装 DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP4045GU
  • PDF NCEP4045GU.pdf
Консультация
NCE65T260K

NCE65T260K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE65T260K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 15A 功率(Pd)  131W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 260mΩ@10V,8A 封装 TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE65T260K
  • PDF NCE65T260K.pdf
Консультация
NCE0110K

NCE0110K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0110K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 9.6A 功率(Pd)  30W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 140mΩ@10V,6A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE0110K
  • PDF NCE0110K.pdf
Консультация
NCEP60T15G

NCEP60T15G-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP60T15G
  • КорпусDFN-8(5.7x5.1)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V 阈值电压 4V@250uA 电流 150A 功率(Pd)  200W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 3.1mΩ@10V,20A 封装 DFN-8(5.7x5.1) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP60T15G
  • PDF NCEP60T15G.pdf
Консультация
NCE2302

NCE2302-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE2302
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 20V 阈值电压 1.2V@250uA 电流 4A 功率(Pd)  1W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 59mΩ@2.5V,2.5A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE2302
  • PDF NCE2302.pdf
Консультация
NCE40P07S

NCE40P07S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40P07S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 6.2A 功率(Pd)  2.5W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии 25mΩ@10V,5A 封装 SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE40P07S
  • PDF NCE40P07S.pdf
Консультация
NCE60H10K

NCE60H10K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60H10K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V 阈值电压 2.85V@250uA 电流 100A 功率(Pd)  170W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 4.8mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE60H10K
  • PDF NCE60H10K.pdf
Консультация
NCE40H12K

NCE40H12K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE40H12K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 120A 功率(Pd)  120W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 4mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE40H12K
  • PDF NCE40H12K.pdf
Консультация
NCE3010S

NCE3010S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3010S
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V 阈值电压 3V@250uA 电流 10A 功率(Pd)  2.5W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 12mΩ@10V,10A 封装 SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE3010S
  • PDF NCE3010S.pdf
Консультация
NCE3407

NCE3407-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3407
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V 阈值电压 3V@250uA 电流 4.1A 功率(Pd)  1.4W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии 65mΩ@10V,4.1A 封装  SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE3407
  • PDF NCE3407.pdf
Консультация
NCE6075K

NCE6075K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6075K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 60V 阈值电压 4V@250uA 电流 75A 功率(Pd)  110W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 11.5mΩ@10V,30A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE6075K
  • PDF NCE6075K.pdf
Консультация
NCE0224K

NCE0224K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0224K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 200V 阈值电压 4V@250uA 电流 24A 功率(Pd)  150W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 80mΩ@10V,15A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE0224K
  • PDF NCE0224K.pdf
Консультация
NCE4953

NCE4953-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4953
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание 耐压 30V 阈值电压 3V@250uA 电流 5.1A 功率(Pd)  2.5W 沟道 2个Pсопротивление в открытом состоянии 55mΩ@10V,5.1A 封装 SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE4953
  • PDF NCE4953.pdf
Консультация
NCE01P03S

NCE01P03S-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE01P03S
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V 阈值电压 1.9V@250uA 电流 3A 功率(Pd)  2.5W 沟道 2个Pсопротивление в открытом состоянии 170mΩ@10V,3A 封装 SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE01P03S
  • PDF NCE01P03S.pdf
Консультация
NCE60P82AK

NCE60P82AK-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE60P82AK
  • КорпусTO-252-2L
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 60V 阈值电压 - 电流 82A 功率(Pd)  150W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии 13mΩ @ VGS=-10V 封装 TO-252-2L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE60P82AK
  • PDF NCE60P82AK.pdf
Консультация
NCEP30T13GU

NCEP30T13GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP30T13GU
  • КорпусDFN-8(4.9x5.7)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 30V 阈值电压 1.7V@250uA 电流 130A 功率(Pd)  80W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 1.7mΩ@10V,65A 封装 DFN-8(4.9x5.7) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP30T13GU
  • PDF NCEP30T13GU.pdf
Консультация
NCE0115K

NCE0115K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE0115K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 15A 功率(Pd)  50W 沟道 N сопротивление в открытом состоянии 90mΩ@10V,10A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE0115K
  • PDF NCE0115K.pdf
Консультация
NCEP01ND35AG

NCEP01ND35AG-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP01ND35AG
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 100V 阈值电压 2V@250uA 电流 35A 功率(Pd)  50W 沟道 2个Nсопротивление в открытом состоянии 18mΩ@10V,20A 封装 DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP01ND35AG
  • PDF NCEP01ND35AG.pdf
Консультация
NCE4080K

NCE4080K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE4080K
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V 阈值电压 2.5V@250uA 电流 80A 功率(Pd)  80W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 7mΩ@10V,20A 封装 TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCE4080K
  • PDF NCE4080K.pdf
Консультация
NCEP40T13GU

NCEP40T13GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40T13GU
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описание耐压 40V 阈值电压 2.2V@250uA 电流 130A 功率(Pd)  80W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии 2.3mΩ@10V,65A 封装 DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) 品牌 NCE 型号 NCEP40T13GU
  • PDF NCEP40T13GU.pdf
Консультация
Всего записей: 447«Предыдущая123456...23Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd