О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
STD13NM60N

STD13NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD13NM60N
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD13NM60Nкорпус TO-252-2(DPAK)тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)11Aмощность (Pd)90Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)360mΩ@5.5A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)30nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)790pF@50V
  • PDF STD13NM60N.pdf
Консультация
STD20NF06LT4

STD20NF06LT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD20NF06LT4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD20NF06LT4корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)24Aмощность (Pd)60Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)40mΩ@10V,12Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)13nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)660pF@25Vрабочая температура -55…
  • PDF STD20NF06LT4.pdf
Консультация
STD110N8F6

STD110N8F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD110N8F6
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD110N8F6корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)80Vпостоянный ток стока (Id)80Aмощность (Pd)167Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)6.5mΩ@40A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)150nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)9.13nF@40Vобратная передача 电…
  • PDF STD110N8F6.pdf
Консультация
STP90NF03L

STP90NF03L-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP90NF03L
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP90NF03Lкорпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)30Vпостоянный ток стока (Id)90Aмощность (Pd)150Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)6.5mΩ@10V,45Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)47nC@5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)2.7nF@25Vрабочая температура -6…
  • PDF STP90NF03L.pdf
Консультация
STD2NK90ZT4

STD2NK90ZT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD2NK90ZT4
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD2NK90ZT4корпус TO-252тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)2.1Aмощность (Pd)70Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)5Ω@10V,1.05Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)27nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)485pF@25Vобратная передача 电…
  • PDF STD2NK90ZT4.pdf
Консультация
STD5N20LT4

STD5N20LT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD5N20LT4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD5N20LT4корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)200Vпостоянный ток стока (Id)5Aмощность (Pd)33Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)700mΩ@5V,2.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)6nC@5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)242pF@25Vрабочая температура -55℃~+…
  • PDF STD5N20LT4.pdf
Консультация
STW70N60M2

STW70N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW70N60M2
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW70N60M2корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)68Aмощность (Pd)450Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)40mΩ@10V,34Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)118nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)5.2nF@100Vрабочая температура …
  • PDF STW70N60M2.pdf
Консультация
STD2N95K5

STD2N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD2N95K5
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD2N95K5корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)2Aмощность (Pd)45Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)5Ω@10V,1Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)10nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)105pF@100Vрабочая температура -55℃~+150…
  • PDF STD2N95K5.pdf
Консультация
STF8N80K5

STF8N80K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF8N80K5
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF8N80K5корпус TO-220F-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)6Aмощность (Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)950mΩ@10V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uA
  • PDF STF8N80K5.pdf
Консультация
STP15810

STP15810-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP15810
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP15810корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)110Aмощность (Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)4.2mΩ@10V,55Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uA
  • PDF STP15810.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 9899100101102103104105...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd