О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
STD17NF03LT4

STD17NF03LT4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD17NF03LT4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD17NF03LT4корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)30Vпостоянный ток стока (Id)17Aмощность (Pd)30Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)50mΩ@10V,8.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.2V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)6.5nC@5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)320pF@25Vрабочая температура -5…
  • PDF STD17NF03LT4.pdf
Консультация
STH3N150-2

STH3N150-2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTH3N150-2
  • КорпусH2PAK-2
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STH3N150-2корпус H2PAK-2тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)1.5kVпостоянный ток стока (Id)2.5Aмощность (Pd)140Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)9Ω@10V,1.3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)29.3nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)939pF@25V
  • PDF STH3N150-2.pdf
Консультация
STN4NF03L

STN4NF03L-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN4NF03L
  • КорпусSOT-223-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN4NF03Lкорпус SOT-223-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)30Vпостоянный ток стока (Id)6.5Aмощность (Pd)3.3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)50mΩ@10V,2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)1V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)9nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)330pF@25Vрабочая температура -55…
  • PDF STN4NF03L.pdf
Консультация
STD13N60M2

STD13N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD13N60M2
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD13N60M2корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)11Aмощность (Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)380mΩ@10V,5.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)17nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)580pF@100Vрабочая температура -5…
  • PDF STD13N60M2.pdf
Консультация
STW70N60DM2

STW70N60DM2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW70N60DM2
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW70N60DM2корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)66Aмощность (Pd)446Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)42mΩ@10V,33Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)121nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)5.508nF@100Vрабочий …
  • PDF STW70N60DM2.pdf
Консультация
STD10P6F6

STD10P6F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD10P6F6
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD10P6F6корпус DPAKтип 1个Pканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)10Aмощность (Pd)35Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)160mΩ@10V,5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)6.4nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)340pF@48V
  • PDF STD10P6F6.pdf
Консультация
STF26NM60N

STF26NM60N-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF26NM60N
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF26NM60Nкорпус TO-220Fтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)20Aмощность (Pd)35Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)165mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.8nF@50V
  • PDF STF26NM60N.pdf
Консультация
IRF630

IRF630-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельIRF630
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул IRF630корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)200Vпостоянный ток стока (Id)9Aмощность (Pd)75Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)400mΩ@10V,4.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)45nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)700pF@25Vрабочая температура -65℃~+…
  • PDF IRF630.pdf
Консультация
STW9NK90Z

STW9NK90Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW9NK90Z
  • КорпусTO-247AC-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW9NK90Zкорпус TO-247AC-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)900Vпостоянный ток стока (Id)8Aмощность (Pd)160Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.3Ω@10V,3.6Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@100uA
  • PDF STW9NK90Z.pdf
Консультация
STF6N95K5

STF6N95K5-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF6N95K5
  • КорпусTO-220FPAB-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF6N95K5корпус TO-220FPAB-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)9Aмощность (Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.25Ω@10V,3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)13nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)450pF@100Vрабочая температура …
  • PDF STF6N95K5.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 96979899100101102103...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd