О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
STW20NM60

STW20NM60-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW20NM60
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW20NM60корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)20Aмощность (Pd)192Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)290mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)54nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.5nF@25V
  • PDF STW20NM60.pdf
Консультация
STW20NM60

STW20NM60-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTW20NM60
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW20NM60корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)20Aмощность (Pd)192Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)290mΩ@10V,10Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)54nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.5nF@25V
  • PDF STW20NM60.pdf
Консультация
STN1NK60Z

STN1NK60Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN1NK60Z
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN1NK60Zкорпус SOT-223тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)300mAмощность (Pd)3.3Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)15Ω@400mA,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)6.9nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)94pF@25Vобратная передача …
  • PDF STN1NK60Z.pdf
Консультация
STN1NK80Z

STN1NK80Z-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTN1NK80Z
  • КорпусSOT-223-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STN1NK80Zкорпус SOT-223-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)250mAмощность (Pd)2.5Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)16Ω@10V,500mAпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)7.7nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)160pF@25Vрабочий …
  • PDF STN1NK80Z.pdf
Консультация
STD100N10F7

STD100N10F7-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD100N10F7
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD100N10F7корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)80Aмощность (Pd)120Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)8mΩ@10V,40Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)61nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)4.369nF@50Vрабочая температура -…
  • PDF STD100N10F7.pdf
Консультация
STD10NF10T4

STD10NF10T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTD10NF10T4
  • КорпусTO-252-2(DPAK)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD10NF10T4корпус TO-252-2(DPAK)тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)13Aмощность (Pd)50Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)130mΩ@10V,5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)21nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)460pF@25Vрабочий …
  • PDF STD10NF10T4.pdf
Консультация
STF13N60M2

STF13N60M2-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTF13N60M2
  • КорпусTO-220FPAB-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STF13N60M2корпус TO-220FPAB-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)11Aмощность (Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)380mΩ@10V,5.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)17nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)580pF@100Vрабочий …
  • PDF STF13N60M2.pdf
Консультация
STB55NF06T4

STB55NF06T4-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTB55NF06T4
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB55NF06T4корпус D2PAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)50Aмощность (Pd)110Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)60nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.3nF@25Vрабочая температура -5…
  • PDF STB55NF06T4.pdf
Консультация
STP110N7F6

STP110N7F6-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP110N7F6
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP110N7F6корпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)68Vпостоянный ток стока (Id)110Aмощность (Pd)176Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)5.5mΩ@10V,55Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)100nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)5.85nF@25Vобратная передача …
  • PDF STP110N7F6.pdf
Консультация
STP5NK52ZD

STP5NK52ZD-ST

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельSTP5NK52ZD
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STP5NK52ZDкорпус TO-220тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)520Vпостоянный ток стока (Id)4.4Aмощность (Pd)25Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)1.22Ω@10V,2.2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)16.9nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)529pF@25V反向传…
  • PDF STP5NK52ZD.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 979899100101102103104...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd