О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCEP60T20

NCEP60T20-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP60T20
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 200A мощность (Pd)  255W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.2mΩ@10V,100A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP60T20
  • PDF NCEP60T20.pdf
Консультация
NCEP018N85LL

NCEP018N85LL-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP018N85LL
  • КорпусTOLL
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 85V пороговое напряжение - ток 320A мощность (Pd)  380W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.3mΩ , typical @ VGS=10V корпус TOLL MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP018N85LL
  • PDF NCEP018N85LL.pdf
Консультация
NCE6080A

NCE6080A-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE6080A
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 60V пороговое напряжение 1.8V@250uA ток 80A мощность (Pd)  110W канал N сопротивление в открытом состоянии 8mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE6080A
  • PDF NCE6080A.pdf
Консультация
NCEP60T18

NCEP60T18-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP60T18
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 4V@250uA ток 180A мощность (Pd)  220W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.9mΩ@10V,20A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP60T18
  • PDF NCEP60T18.pdf
Консультация
NCE70T540K

NCE70T540K-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T540K
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 700V пороговое напряжение 4V@250uA ток 8A мощность (Pd)  69W канал N сопротивление в открытом состоянии 540mΩ@10V,4A корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T540K
  • PDF NCE70T540K.pdf
Консультация
NCEP3040Q

NCEP3040Q-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP3040Q
  • КорпусPDFN-8(3.1x3.2)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 30V пороговое напряжение 1.5V@250uA ток 40A мощность (Pd)  25W канал N сопротивление в открытом состоянии 6.8mΩ@10V,20A корпус PDFN-8(3.1x3.2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP3040Q
  • PDF NCEP3040Q.pdf
Консультация
NCE3400XY

NCE3400XY-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE3400XY
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение - ток 5.1A мощность (Pd)  1.3W канал N сопротивление в открытом состоянии 33mΩ @ VGS=10V корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE3400XY
  • PDF NCE3400XY.pdf
Консультация
NCEP40PT15D

NCEP40PT15D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP40PT15D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение -40V пороговое напряжение - ток -150A мощность (Pd)  250W канал P сопротивление в открытом состоянии 2.8mΩ (typical) @ VGS=-10V корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP40PT15D
  • PDF NCEP40PT15D.pdf
Консультация
NCE70T360D

NCE70T360D-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCE70T360D
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описаниедопустимое напряжение 700V пороговое напряжение 3.5V@250uA ток 11.5A мощность (Pd)  101W канал N сопротивление в открытом состоянии 330mΩ@10V,7A корпус TO-263-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCE70T360D
  • PDF NCE70T360D.pdf
Консультация
NCEP4090GU

NCEP4090GU-NCE

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельNCEP4090GU
  • КорпусPDFN-8(5.1x5.8)
  • ПроизводительNCE
  • Описание допустимое напряжение 40V пороговое напряжение - ток 90A мощность (Pd)  85W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.2mΩ (typical) @VGS=10V корпус  PDFN-8(5.1x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд NCE артикул NCEP4090GU
  • PDF NCEP4090GU.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 7273747576777879...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd