О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMN3033LSN-7

DMN3033LSN-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3033LSN-7
  • КорпусSC-59
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 6A мощность (Pd) 1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 30mΩ@10V,6A корпус SC-59 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3033LSN-7 серия DMN3033LSN
  • PDF DMN3033LSN-7.pdf
Консультация
DMC3730UFL3-7

DMC3730UFL3-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC3730UFL3-7
  • КорпусX2-DFN1310-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 950mV@250uA ток 1.1A; 700mA мощность (Pd) 390mW канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 460mΩ@200mA,4.5V корпус X2-DFN1310-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC3730UFL3-7 серия DMC3730UFL3
  • PDF DMC3730UFL3-7.pdf
Консультация
ZVN4310GTA

ZVN4310GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN4310GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 1.67A мощность (Pd) 3W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 540mΩ@10V,3.3A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN4310GTA серия ZVN4310GTA
  • PDF ZVN4310GTA.pdf
Консультация
DMN601VK-7

DMN601VK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN601VK-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 305mA мощность (Pd) 250mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,500mA корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN601VK-7 серия DMN601VK
  • PDF DMN601VK-7.pdf
Консультация
DMN2075U-7

DMN2075U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2075U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 800mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 38mΩ@4.5V,3.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2075U-7 серия DMN2075U
  • PDF DMN2075U-7.pdf
Консультация
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN26D0UDJ-7
  • КорпусSOT-963-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.05V@250uA ток 240mA мощность (Pd) 300mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@4.5V,100mA корпус SOT-963-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN26D0UDJ-7 серия DMN26D0UDJ
  • PDF DMN26D0UDJ-7.pdf
Консультация
DMP2130LDM-7

DMP2130LDM-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2130LDM-7
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.25V@250uA ток 3.4A мощность (Pd) 1.25W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80mΩ@4.5V,4.5A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2130LDM-7 серия DMP2130LDM
  • PDF DMP2130LDM-7.pdf
Консультация
DMP2225L-7

DMP2225L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2225L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.25V@250uA ток 2.6A мощность (Pd) 1.08W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 110mΩ@4.5V,2.6A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2225L-7 серия DMP2225L
  • PDF DMP2225L-7.pdf
Консультация
DMTH10H1M7STLW-13

DMTH10H1M7STLW-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH10H1M7STLW-13
  • КорпусPowerDI1012-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 250A мощность (Pd) 6W; 250W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2mΩ корпус PowerDI1012-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH10H1M7STLW-13 серия DMTH10H1M7STLW
  • PDF DMTH10H1M7STLW-13.pdf
Консультация
DMT3020LSDQ-13

DMT3020LSDQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT3020LSDQ-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 16A мощность (Pd) 1W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@9A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT3020LSDQ-13 серия DMT3020LSDQ
  • PDF DMT3020LSDQ-13.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 4748495051525354...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd