О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMG6898LSD-13

DMG6898LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG6898LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 9.5A мощность (Pd) 1.28W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 16mΩ@9.4A,4.5V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG6898LSD-13 серия DMG6898LSD
  • PDF DMG6898LSD-13.pdf
Консультация
DMC67D8UFDBQ-7

DMC67D8UFDBQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC67D8UFDBQ-7
  • КорпусDFN2020-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V; 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.25V@250uA; 2.5V@250uA ток 390mA; 2.9A мощность (Pd) 580mW канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4Ω@500mA,10V; 72mΩ@3.5A,4.5V корпус DFN2020-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC67D8UFDBQ-7 серия DMC67D8UFDBQ
  • PDF DMC67D8UFDBQ-7.pdf
Консультация
DMN3028LQ-7

DMN3028LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3028LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@250uA ток 6.2A мощность (Pd) 860mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@4A,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3028LQ-7 серия DMN3028LQ
  • PDF DMN3028LQ-7.pdf
Консультация
DMP2240UW-7

DMP2240UW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2240UW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.5A мощность (Pd) 250mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150mΩ@4.5V,2A корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2240UW-7 серия DMP2240UW
  • PDF DMP2240UW-7.pdf
Консультация
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN65D8LW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 300mA мощность (Pd) 300mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,115mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN65D8LW-7 серия DMN65D8LW
  • PDF DMN65D8LW-7.pdf
Консультация
BS107P

BS107P-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBS107P
  • КорпусTO-92-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 120mA мощность (Pd) 500mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 30Ω@5V,100mA корпус TO-92-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BS107P серия BS107P
  • PDF BS107P.pdf
Консультация
DMN100-7-F

DMN100-7-F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN100-7-F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 1.1A мощность (Pd) 500mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 240mΩ@10V,1A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN100-7-F серия DMN100
  • PDF DMN100-7-F.pdf
Консультация
DMP2100U-7

DMP2100U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2100U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 4.3A мощность (Pd) 800mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 38mΩ@10V,3.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2100U-7 серия DMP2100U
  • PDF DMP2100U-7.pdf
Консультация
DMC2020USD-13

DMC2020USD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2020USD-13
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 7.8A; 6.3A мощность (Pd) 1.8W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 20mΩ@7A,4.5V корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2020USD-13 серия DMC2020USD
  • PDF DMC2020USD-13.pdf
Консультация
ZXMP6A18KTC

ZXMP6A18KTC-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP6A18KTC
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 6.8A мощность (Pd) 2.15W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 55mΩ@10V,3.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP6A18KTC серия ZXMP6A18KTC
  • PDF ZXMP6A18KTC.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 4647484950515253...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd