О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMP2160UFDB-7

DMP2160UFDB-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2160UFDB-7
  • КорпусU-DFN2020-6B
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.4W канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@4.5V,2.8A корпус U-DFN2020-6B MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2160UFDB-7 серия DMP2160UFDB
  • PDF DMP2160UFDB-7.pdf
Консультация
DMC2450UV-7

DMC2450UV-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2450UV-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 1.03A; 700mA мощность (Pd) 450mW канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 480mΩ@200mA,5V корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2450UV-7 серия DMC2450UV
  • PDF DMC2450UV-7.pdf
Консультация
DMP2002UPS-13

DMP2002UPS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2002UPS-13
  • КорпусPowerDI5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 60A мощность (Pd) 2.3W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.9mΩ@10V,25A корпус PowerDI5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2002UPS-13 серия DMP2002UPS
  • PDF DMP2002UPS-13.pdf
Консультация
ZXMP6A13GTA

ZXMP6A13GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP6A13GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.7A мощность (Pd) 2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 390mΩ@900mA,10V корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP6A13GTA серия ZXMP6A13GTA
  • PDF ZXMP6A13GTA.pdf
Консультация
DMPH6050SPD-13

DMPH6050SPD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMPH6050SPD-13
  • КорпусPowerDI-8(5x6)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение -60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток -26A -23A мощность (Pd) 1.5W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 48m @ VGS = -10V 60m @ VGS = -4.5V корпус PowerDI-8(5x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH6050SPD-13 серия DMPH6050SPD
  • PDF DMPH6050SPD-13.pdf
Консультация
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN7022LFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 75V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.8A мощность (Pd) 900mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 22mΩ@10V,7.2A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN7022LFG-7 серия DMN7022LFG
  • PDF DMN7022LFG-7.pdf
Консультация
ZVNL120A

ZVNL120A-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVNL120A
  • КорпусTO-92-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@1mA ток 180mA мощность (Pd) 700mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10Ω@5V,250mA корпус TO-92-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVNL120A серия ZVNL120A
  • PDF ZVNL120A.pdf
Консультация
DMG9926USD-13

DMG9926USD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG9926USD-13
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 8A мощность (Pd) 1.3W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 24mΩ@4.5V,8.2A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG9926USD-13 серия DMG9926USD
  • PDF DMG9926USD-13.pdf
Консультация
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN65D8LFB-7B
  • КорпусX1-DFN1006-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 260mA мощность (Pd) 430mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,115mA корпус X1-DFN1006-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN65D8LFB-7B серия DMN65D8LFB
  • PDF DMN65D8LFB-7B.pdf
Консультация
DMC3071LVT-7

DMC3071LVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC3071LVT-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 3.3A; 4.6A мощность (Pd) 700mW канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@3.5A,10V; 95mΩ@3.8A,10V корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC3071LVT-7 серия DMC3071LVT
  • PDF DMC3071LVT-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 4445464748495051...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd