О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMHC4035LSDQ-13

DMHC4035LSDQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMHC4035LSDQ-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 4.5A; 3.7A мощность (Pd) 1.5W канал 2 N и 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 45mΩ@3.9A,10V; 65mΩ@4.2A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMHC4035LSDQ-13 серия DMHC4035LSDQ
  • PDF DMHC4035LSDQ-13.pdf
Консультация
DMTH6005LK3Q-13

DMTH6005LK3Q-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH6005LK3Q-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 90A мощность (Pd) 2.1W; 100W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5.6mΩ@10V,50A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH6005LK3Q-13 серия DMTH6005LK3Q
  • PDF DMTH6005LK3Q-13.pdf
Консультация
DMC3028LSD-13

DMC3028LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC3028LSD-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 6.6A; 6.8A мощность (Pd) 1.8W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@6A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC3028LSD-13 серия DMC3028LSD
  • PDF DMC3028LSD-13.pdf
Консультация
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG4496SSS-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 10A мощность (Pd) 1.42W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 21.5mΩ@10V,10A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG4496SSS-13 серия DMG4496SSS
  • PDF DMG4496SSS-13.pdf
Консультация
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT69M8LFV-7
  • КорпусPDFN-8(3.3x3.3)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 36A;45A мощность (Pd) 2.2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 9.5mΩ @ VGS = 10V 13.3mΩ @ VGS = 4.5V корпус PDFN-8(3.3x3.3) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT69M8LFV-7 серия DMT69M8LFV
  • PDF DMT69M8LFV-7.pdf
Консультация
BSS138DWQ-7

BSS138DWQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS138DWQ-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 200mA мощность (Pd) 200mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.5Ω@220mA,10V корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS138DWQ-7 серия BSS138DWQ
  • PDF BSS138DWQ-7.pdf
Консультация
DMP3085LSS-13

DMP3085LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3085LSS-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 1.3W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@5.3A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3085LSS-13 серия DMP3085LSS
  • PDF DMP3085LSS-13.pdf
Консультация
DMP10H400SEQ-13

DMP10H400SEQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP10H400SEQ-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2.3A; 6A мощность (Pd) 2W; 13.7W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 250mΩ@5A,10V корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP10H400SEQ-13 серия DMP10H400SEQ
  • PDF DMP10H400SEQ-13.pdf
Консультация
DMP31D7L-7

DMP31D7L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP31D7L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.6V@250uA ток 580mA мощность (Pd) 430mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 900mΩ@420mA,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP31D7L-7 серия DMP31D7L
  • PDF DMP31D7L-7.pdf
Консультация
DMP6023LFG-13

DMP6023LFG-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6023LFG-13
  • КорпусPowerDI-3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.7A мощность (Pd) 1W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@5A,10V корпус PowerDI-3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6023LFG-13 серия DMP6023LFG
  • PDF DMP6023LFG-13.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 4344454647484950...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd