О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMP3050LVT-7

DMP3050LVT-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3050LVT-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 4.5A мощность (Pd) 1.8W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,4.5A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3050LVT-7 серия DMP3050LVT
  • PDF DMP3050LVT-7.pdf
Консультация
DMP2075UFDB-7

DMP2075UFDB-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2075UFDB-7
  • КорпусU-DFN2020-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 3.8A мощность (Pd) 700mW канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 75mΩ@2.9A,4.5V корпус U-DFN2020-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2075UFDB-7 серия DMP2075UFDB
  • PDF DMP2075UFDB-7.pdf
Консультация
DMPH6023SK3Q-13

DMPH6023SK3Q-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMPH6023SK3Q-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 35A мощность (Pd) 3.2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 33mΩ@10A,10V корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH6023SK3Q-13 серия DMPH6023SK3Q
  • PDF DMPH6023SK3Q-13.pdf
Консультация
DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH8012LPSW-13
  • КорпусDFN-8(4.9x5.8)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 80V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 53.7A мощность (Pd) 3.1W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 17mΩ@10V,12A корпус DFN-8(4.9x5.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH8012LPSW-13 серия DMTH8012LPSW
  • PDF DMTH8012LPSW-13.pdf
Консультация
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2016UTS-13
  • КорпусTSSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 8.58A мощность (Pd) 880mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 14.5mΩ@4.5V,9.4A корпус TSSOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2016UTS-13 серия DMN2016UTS
  • PDF DMN2016UTS-13.pdf
Консультация
DMP2070UQ-7

DMP2070UQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2070UQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 950mV@250uA ток 4.6A мощность (Pd) 830mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 44mΩ@2A,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2070UQ-7 серия DMP2070UQ
  • PDF DMP2070UQ-7.pdf
Консультация
DMP31D0U-7

DMP31D0U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP31D0U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.1V@250uA ток 530mA мощность (Pd) 450mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@400mA,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP31D0U-7 серия DMP31D0U
  • PDF DMP31D0U-7.pdf
Консультация
ZXMP3A17E6TA

ZXMP3A17E6TA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP3A17E6TA
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 3.2A мощность (Pd) 1.1W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.2A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP3A17E6TA серия ZXMP3A17E6TA
  • PDF ZXMP3A17E6TA.pdf
Консультация
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2400UFB4-7
  • КорпусX2-DFN1006-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 750mA мощность (Pd) 470mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 550mΩ@4.5V,600mA корпус X2-DFN1006-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2400UFB4-7 серия DMN2400UFB4
  • PDF DMN2400UFB4-7.pdf
Консультация
DMTH6016LFVWQ-7

DMTH6016LFVWQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH6016LFVWQ-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 41A мощность (Pd) 1.17W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 16mΩ@20A,10V корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH6016LFVWQ-7 серия DMTH6016LFVWQ
  • PDF DMTH6016LFVWQ-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 4950515253545556...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd