О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMN6040SE-13

DMN6040SE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6040SE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@12A,10V корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6040SE-13 серия DMN6040SE
  • PDF DMN6040SE-13.pdf
Консультация
ZXMC3A16DN8TA

ZXMC3A16DN8TA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMC3A16DN8TA
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4.9A; 4.1A мощность (Pd) 1.25W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@9A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMC3A16DN8TA серия ZXMC3A16DN8TA
  • PDF ZXMC3A16DN8TA.pdf
Консультация
DMP3130LQ-7

DMP3130LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3130LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA ток 3.5A мощность (Pd) 700mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 77mΩ@4.2A,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3130LQ-7 серия DMP3130LQ
  • PDF DMP3130LQ-7.pdf
Консультация
DMN61D9UWQ-7

DMN61D9UWQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN61D9UWQ-7
  • КорпусSOD-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 400mA мощность (Pd) 440mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@50mA,5V корпус SOD-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN61D9UWQ-7 серия DMN61D9UWQ
  • PDF DMN61D9UWQ-7.pdf
Консультация
2N7002VC-7

2N7002VC-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002VC-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 280mA мощность (Pd) 150mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002VC-7 серия 2N7002VC
  • PDF 2N7002VC-7.pdf
Консультация
DMP2160UFDBQ-7

DMP2160UFDBQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2160UFDBQ-7
  • КорпусDFN-6-EP(2x2)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение -20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток -3.8A -3.3A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 70mΩ @ VGS = -4.5V 85mΩ @ VGS = -2.5V корпус DFN-6-EP(2x2) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2160UFDBQ-7 серия DMP2160UFDBQ
  • PDF DMP2160UFDBQ-7.pdf
Консультация
DMN6040SVTQ-7

DMN6040SVTQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6040SVTQ-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 44mΩ@10V,4.3A корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6040SVTQ-7 серия DMN6040SVTQ
  • PDF DMN6040SVTQ-7.pdf
Консультация
DMP2008UFG-7

DMP2008UFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2008UFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 14A; 54A мощность (Pd) 2.4W; 41W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8mΩ@4.5V,12A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2008UFG-7 серия DMP2008UFG
  • PDF DMP2008UFG-7.pdf
Консультация
DMC2041UFDB-7

DMC2041UFDB-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2041UFDB-7
  • КорпусDFN2020-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 4.7A; 3.2A мощность (Pd) 1.4W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@4.2A,4.5V корпус DFN2020-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2041UFDB-7 серия DMC2041UFDB
  • PDF DMC2041UFDB-7.pdf
Консультация
ZVP2106GTA

ZVP2106GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVP2106GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@1mA ток 450mA мощность (Pd) 2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVP2106GTA серия ZVP2106GTA
  • PDF ZVP2106GTA.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 4546474849505152...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd