Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.4V@250uA ток 4A мощность (Pd) 1.4W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 52mΩ@4A,10V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3402LQ-7 серия DMG3402LQ
Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 2.3A мощность (Pd) 1.8W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 220mΩ@10V,1.6A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN10H220LE-13 серия DMN10H220LE
Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение 3V@250uA ток 25A мощность (Pd) 50W канал N сопротивление в открытом состоянии 36mΩ@10V,18A корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS25N06B4
Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 10A мощность (Pd) 40W канал N сопротивление в открытом состоянии 1Ω@10V,5A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS10N65FA9R
Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение - ток 4A мощность (Pd) 75W канал N сопротивление в открытом состоянии - корпус TO-252-2 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS4N65A4R
Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение 4V@250uA ток 800mA мощность (Pd) 25W канал N сопротивление в открытом состоянии 15Ω@10V,400mA корпус TO-252-2(DPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS1N60A4H
Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 12A мощность (Pd) 55W канал N сопротивление в открытом состоянии 700mΩ@10V,6A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS12N65FA9H
Описаниедопустимое напряжение 700V пороговое напряжение 4V@250uA ток 10A мощность (Pd) 40W канал N сопротивление в открытом состоянии 1.05Ω@10V,5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS10N70FA9R
Описаниедопустимое напряжение 650V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd) 75W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.5Ω@10V,2A корпус TO-251(IPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS4N65A3HD
Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение 4V@250uA ток 4A мощность (Pd) 75W канал N сопротивление в открытом состоянии 2.5Ω@10V,2A корпус TO-251(IPAK) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд CR Huajing артикул CS4N60A3R