О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2004DWK-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 540mA мощность (Pd) 200mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 550mΩ@4.5V,540mA корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2004DWK-7 серия DMN2004DWK
  • PDF DMN2004DWK-7.pdf
Консультация
DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN62D0UDW-7
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 350mA мощность (Pd) 320mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@100mA,4.5V корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN62D0UDW-7 серия DMN62D0UDW
  • PDF DMN62D0UDW-7.pdf
Консультация
DMN6040SSDQ-13

DMN6040SSDQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6040SSDQ-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.3W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,4.5A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6040SSDQ-13 серия DMN6040SSDQ
  • PDF DMN6040SSDQ-13.pdf
Консультация
2N7002AQ-7

2N7002AQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002AQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 180mA мощность (Pd) 370mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,115mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES 2N7002AQ-7 серия 2N7002AQ
  • PDF 2N7002AQ-7.pdf
Консультация
ZXM61N03F

ZXM61N03F-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXM61N03F
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 1.4A мощность (Pd) 625mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 220mΩ корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXM61N03F серия ZXM61N03F
  • PDF ZXM61N03F.pdf
Консультация
DMC2053UVTQ-7

DMC2053UVTQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC2053UVTQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 4.6A; 3.2A мощность (Pd) 700mW канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 35mΩ@5A,4.5V; 74mΩ@3.5A,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC2053UVTQ-7 серия DMC2053UVTQ
  • PDF DMC2053UVTQ-7.pdf
Консультация
DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN61D8LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@1mA ток 470mA мощность (Pd) 390mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.8Ω@150mA,5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN61D8LQ-7 серия DMN61D8LQ
  • PDF DMN61D8LQ-7.pdf
Консультация
BSS127SSN-7

BSS127SSN-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельBSS127SSN-7
  • КорпусSC-59
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@250uA ток 70mA мощность (Pd) 610mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80Ω@10V,16mA корпус SC-59 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES BSS127SSN-7 серия BSS127SSN
  • PDF BSS127SSN-7.pdf
Консультация
DMP3007SCGQ-7

DMP3007SCGQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3007SCGQ-7
  • КорпусV-DFN3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 50A мощность (Pd) 1W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6.8mΩ@11.5A,10V корпус V-DFN3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3007SCGQ-7 серия DMP3007SCGQ
  • PDF DMP3007SCGQ-7.pdf
Консультация
DMP2004WK-7

DMP2004WK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2004WK-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 400mA мощность (Pd) 250mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 900mΩ@430mA,4.5V корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2004WK-7 серия DMP2004WK
  • PDF DMP2004WK-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 4849505152535455...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd