О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMP32D4S-13

DMP32D4S-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP32D4S-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@250uA ток 300mA мощность (Pd) 370mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.4Ω@10V,300mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP32D4S-13 серия DMP32D4S
  • PDF DMP32D4S-13.pdf
Консультация
DMP2305UQ-7

DMP2305UQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2305UQ-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 60mΩ@4.2A,4.5V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2305UQ-7 серия DMP2305UQ
  • PDF DMP2305UQ-7.pdf
Консультация
ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8TC-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMC10A816N8TC
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@250uA ток 2A мощность (Pd) 1.8W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 230mΩ@10V,1A корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMC10A816N8TC серия ZXMC10A816N8TC
  • PDF ZXMC10A816N8TC.pdf
Консультация
DMN6075SQ-7

DMN6075SQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN6075SQ-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2A мощность (Pd) 800mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 85mΩ@3.2A,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN6075SQ-7 серия DMN6075SQ
  • PDF DMN6075SQ-7.pdf
Консультация
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT6005LPS-13
  • КорпусDFN-8(5.1x6)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 100A мощность (Pd) 2.6W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6.5mΩ @ VGS = 4.5V корпус DFN-8(5.1x6) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT6005LPS-13 серия DMT6005LPS
  • PDF DMT6005LPS-13.pdf
Консультация
ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN7A11GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 70V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.7A мощность (Pd) 2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 130mΩ@10V,4.4A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN7A11GTA серия ZXMN7A11GTA
  • PDF ZXMN7A11GTA.pdf
Консультация
DMN2004DMK-7

DMN2004DMK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2004DMK-7
  • КорпусSOT-26
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 540mA мощность (Pd) 225mW канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 550mΩ@540mA,4.5V корпус SOT-26 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2004DMK-7 серия DMN2004DMK
  • PDF DMN2004DMK-7.pdf
Консультация
DMP31D7L-13

DMP31D7L-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP31D7L-13
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.6V@250uA ток 580mA мощность (Pd) 430mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 900mΩ корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP31D7L-13 серия DMP31D7L
  • PDF DMP31D7L-13.pdf
Консультация
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN3A01FTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 1.8A мощность (Pd) 625mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 120mΩ@10V,2.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN3A01FTA серия ZXMN3A01FTA
  • PDF ZXMN3A01FTA.pdf
Консультация
DMN3018SSD-13

DMN3018SSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3018SSD-13
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниепроизводитель DIODES категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)серия DMN3018SSD тип монтажа SMT корпус SOIC-8 пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 6.7A мощность (Pd) 1.5W допустимое напряжение 30V сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 22mΩ@10V,10A канал 2 N
  • PDF DMN3018SSD-13.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 4243444546474849...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd