О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMP6250SE-13

DMP6250SE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6250SE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 2.1A мощность (Pd) 1.8W; 14W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 250mΩ@10V,1A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6250SE-13 серия DMP6250SE
  • PDF DMP6250SE-13.pdf
Консультация
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT10H015LSS-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3.5V@250uA ток 8.3A мощность (Pd) 1.2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 16mΩ@10V,20A корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT10H015LSS-13 серия DMT10H015LSS
  • PDF DMT10H015LSS-13.pdf
Консультация
DMP3098LSS-13

DMP3098LSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3098LSS-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 5.3A мощность (Pd) 2.5W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 65mΩ@10V,5.3A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3098LSS-13 серия DMP3098LSS
  • PDF DMP3098LSS-13.pdf
Консультация
DMN3731UFB4-7B

DMN3731UFB4-7B-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3731UFB4-7B
  • КорпусX2-DFN1006-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 950mV@250uA ток 1.2A мощность (Pd) 520mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 460mΩ@200mA,4.5V корпус X2-DFN1006-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3731UFB4-7B серия DMN3731UFB4
  • PDF DMN3731UFB4-7B.pdf
Консультация
DMTH4007LPSQ-13

DMTH4007LPSQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH4007LPSQ-13
  • КорпусPowerDI5060-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 15.5A; 100A мощность (Pd) 150W; 2.7W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@4V,100mA корпус PowerDI5060-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH4007LPSQ-13 серия DMTH4007LPSQ
  • PDF DMTH4007LPSQ-13.pdf
Консультация
DMN62D0LFD-7

DMN62D0LFD-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN62D0LFD-7
  • КорпусX1-DFN1212-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 310mA мощность (Pd) 480mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@4V,100mA корпус X1-DFN1212-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN62D0LFD-7 серия DMN62D0LFD
  • PDF DMN62D0LFD-7.pdf
Консультация
DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMTH8012LPSQ-13
  • КорпусTDFN-8-Power
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 80V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 72A; 10A мощность (Pd) 136W; 2.6W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 17mΩ@12A,10V корпус TDFN-8-Power MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMTH8012LPSQ-13 серия DMTH8012LPSQ
  • PDF DMTH8012LPSQ-13.pdf
Консультация
DMC3021LSD-13

DMC3021LSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC3021LSD-13
  • КорпусSOIC-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.1V@250uA ток 8.5A; 7A мощность (Pd) 2.5W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 21mΩ@7A,10V корпус SOIC-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC3021LSD-13 серия DMC3021LSD
  • PDF DMC3021LSD-13.pdf
Консультация
VN10LFTA

VN10LFTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельVN10LFTA
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 150mA мощность (Pd) 330mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES VN10LFTA серия VN10LFTA
  • PDF VN10LFTA.pdf
Консультация
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN10A08GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 2A мощность (Pd) 2W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 250mΩ@10V,3.2A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN10A08GTA серия ZXMN10A08GTA
  • PDF ZXMN10A08GTA.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 4142434445464748...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd