О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMPH4013SK3-13

DMPH4013SK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMPH4013SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 55A мощность (Pd) 2.1W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 15mΩ@10A,10V корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH4013SK3-13 серия DMPH4013SK3
  • PDF DMPH4013SK3-13.pdf
Консультация
DMPH6050SSDQ-13

DMPH6050SSDQ-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMPH6050SSDQ-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5.2A мощность (Pd) 2W канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 48mΩ@5A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH6050SSDQ-13 серия DMPH6050SSDQ
  • PDF DMPH6050SSDQ-13.pdf
Консультация
DMN2053U-7

DMN2053U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2053U-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 6.5A мощность (Pd) 800mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 29mΩ@10V,6A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2053U-7 серия DMN2053U
  • PDF DMN2053U-7.pdf
Консультация
ZVN4206A

ZVN4206A-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN4206A
  • КорпусTO-92-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 600mA мощность (Pd) 700mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@10V,1.5A корпус TO-92-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN4206A серия ZVN4206A
  • PDF ZVN4206A.pdf
Консультация
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2004WKQ-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 540mA мощность (Pd) 200mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 550mΩ@540mA,4.5V корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2004WKQ-7 серия DMN2004WKQ
  • PDF DMN2004WKQ-7.pdf
Консультация
DMP45H150DHE-13

DMP45H150DHE-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP45H150DHE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 450V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 250mA мощность (Pd) 13.9W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150Ω@50mA,10V корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP45H150DHE-13 серия DMP45H150DHE
  • PDF DMP45H150DHE-13.pdf
Консультация
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN6A11ZTA
  • КорпусSOT-89-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.7A мощность (Pd) 1.5W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 120mΩ@10V,2.5A корпус SOT-89-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN6A11ZTA серия ZXMN6A11ZTA
  • PDF ZXMN6A11ZTA.pdf
Консультация
DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN53D0LW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@100uA ток 360mA мощность (Pd) 320mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,270mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN53D0LW-7 серия DMN53D0LW
  • PDF DMN53D0LW-7.pdf
Консультация
DMN2024U-7

DMN2024U-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2024U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 6.8A мощность (Pd) 800mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@6.5A,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2024U-7 серия DMN2024U
  • PDF DMN2024U-7.pdf
Консультация
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN10H700S-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 700mA мощность (Pd) 400mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 700mΩ@1.5A,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN10H700S-7 серия DMN10H700S
  • PDF DMN10H700S-7.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 4041424344454647...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd