О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMP10A17GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1.7A мощность (Pd) 2W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 350mΩ@10V,2.4A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMP10A17GTA серия ZXMP10A17GTA
  • PDF ZXMP10A17GTA.pdf
Консультация
DMC4040SSD-13

DMC4040SSD-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMC4040SSD-13
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@250uA ток 6.8A мощность (Pd) 1.8W канал 1 N и 1 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@10V,3A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMC4040SSD-13 серия DMC4040SSD
  • PDF DMC4040SSD-13.pdf
Консультация
ZVN4424GTA

ZVN4424GTA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZVN4424GTA
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниепроизводитель DIODES категория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)серия ZVN4424GTA тип монтажа SMT корпус SOT-223 пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.8V@1mA ток 500mA мощность (Pd) 2.5W допустимое напряжение 240V сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5.5Ω@10V,500mA канал N
  • PDF ZVN4424GTA.pdf
Консультация
DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN2990UFA-7B
  • КорпусXFDFN-3(0.6x0.8)
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 510mA мощность (Pd) 400mW канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 990mΩ@4.5V,100mA корпус XFDFN-3(0.6x0.8) MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2990UFA-7B серия DMN2990UFA
  • PDF DMN2990UFA-7B.pdf
Консультация
DMP2004VK-7

DMP2004VK-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2004VK-7
  • КорпусSOT-563
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 530mA мощность (Pd) 400mW канал 2 P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 900mΩ@4.5V,430mA корпус SOT-563 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2004VK-7 серия DMP2004VK
  • PDF DMP2004VK-7.pdf
Консультация
DMP2130L-7

DMP2130L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2130L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.25V@250uA ток 3A мощность (Pd) 1.4W канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 51mΩ@4.5V,3.5A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2130L-7 серия DMP2130L
  • PDF DMP2130L-7.pdf
Консультация
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT6010LFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 13A; 30A мощность (Pd) 2.2W; 41W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5mΩ@10V,20A корпус PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT6010LFG-7 серия DMT6010LFG
  • PDF DMT6010LFG-7.pdf
Консультация
DMP3130L-7

DMP3130L-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3130L-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA ток 3.5A мощность (Pd) 700mW канал P сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 77mΩ@10V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3130L-7 серия DMP3130L
  • PDF DMP3130L-7.pdf
Консультация
DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3032LFDB-7
  • КорпусDMN3032LFDB-7
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA ток 6.2A мощность (Pd) 1W канал 2 N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 30mΩ@10V,5.8A корпус DMN3032LFDB-7 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3032LFDB-7 серия DMN3032LFDB
  • PDF DMN3032LFDB-7.pdf
Консультация
ZXMN6A08E6TA

ZXMN6A08E6TA-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельZXMN6A08E6TA
  • КорпусSOT-23-6
  • ПроизводительDIODES
  • Описаниедопустимое напряжение 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.8A мощность (Pd) 1.1W канал N сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 80mΩ@10V,4.8A корпус SOT-23-6 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN6A08E6TA серия ZXMN6A08E6TA
  • PDF ZXMN6A08E6TA.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 3940414243444546...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd