О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор  > MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-263TO-263-2TO-263-6TO-263-7LTO-3PFTO-3PF-3TO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
DMN3016lSS-13

DMN3016lSS-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3016lSS-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA 电流 10.3A мощность (Pd) 1.5W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 12mΩ@10V,12A 封装 SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3016lSS-13 系列 DMN3016lSS
  • PDF DMN3016lSS-13.pdf
Консультация
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMG3414UQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA 电流 4.2A мощность (Pd) 780mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@4.5V,8.2A 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMG3414UQ-7 系列 DMG3414UQ
  • PDF DMG3414UQ-7.pdf
Консультация
DMN3404LQ-7

DMN3404LQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN3404LQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 5.8A мощность (Pd) 720mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@5.8A,10V 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN3404LQ-7 系列 DMN3404LQ
  • PDF DMN3404LQ-7.pdf
Консультация
DMP3028LFDE-7

DMP3028LFDE-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP3028LFDE-7
  • КорпусUDFN2020-6-EP
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.4V@250uA 电流 6.8A мощность (Pd) 660mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 32mΩ@10V,7A 封装 UDFN2020-6-EP MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP3028LFDE-7 系列 DMP3028LFDE
  • PDF DMP3028LFDE-7.pdf
Консультация
DMP1009UFDF-7

DMP1009UFDF-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP1009UFDF-7
  • КорпусUDFN2020-6-EP
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 12V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 15A мощность (Pd) 2W 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11mΩ@4.5V,5A 封装 UDFN2020-6-EP MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP1009UFDF-7 系列 DMP1009UFDF
  • PDF DMP1009UFDF-7.pdf
Консультация
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT6009LFG-7
  • КорпусPowerDI3333-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2V@250uA 电流 11A；34A мощность (Pd) 2.08W；19.2W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 10mΩ@10V,13.5A 封装 PowerDI3333-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT6009LFG-7 系列 DMT6009LFG
  • PDF DMT6009LFG-7.pdf
Консультация
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMT10H010LK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 68.8A мощность (Pd) 3W 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8.8mΩ@10V,13A 封装 TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMT10H010LK3-13 系列 DMT10H010LK3
  • PDF DMT10H010LK3-13.pdf
Консультация
DMP6350SQ-7

DMP6350SQ-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP6350SQ-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA 电流 1.5A мощность (Pd) 720mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 350mΩ@900mA,10V 封装 SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP6350SQ-7 系列 DMP6350SQ
  • PDF DMP6350SQ-7.pdf
Консультация
DMP2104LP-7

DMP2104LP-7-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMP2104LP-7
  • КорпусX1-DFN1411-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA 电流 1.5A мощность (Pd) 500mW 沟道 Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150mΩ@4.5V,900mA 封装 X1-DFN1411-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP2104LP-7 系列 DMP2104LP
  • PDF DMP2104LP-7.pdf
Консультация
DMN62D1SFB-7B

DMN62D1SFB-7B-DIODES

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельDMN62D1SFB-7B
  • КорпусX1-DFN1006-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.3V@250uA 电流 410mA мощность (Pd) 470mW 沟道 Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.4Ω@40mA,10V 封装 X1-DFN1006-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN62D1SFB-7B 系列 DMN62D1SFB
  • PDF DMN62D1SFB-7B.pdf
Консультация
Всего записей: 1180«Предыдущая1... 3839404142434445...118Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd